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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116232263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310153489.5，技术领域涉及：H03H3/007；该发明授权双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组是由胡锦钊;郭嘉帅设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组，封装方法包括以下步骤：S1、提供压电衬底；S2、通过光刻工艺在压电衬底上制作第一插指组件和第二插指组件；S3、通过光刻工艺在压电衬底上制出第一围堰和第二围堰；S4、通过光刻工艺形成同时盖设于第一围堰和第二围堰的盖板，并在盖板上通过光刻工艺形成第一缺口、第二缺口和第三缺口；S5、通过电镀工艺在压电衬底对应第一缺口、第二缺口及第三缺口的位置分别电镀第一填充层、第二填充层及第三填充层，S6、在第一填充层和第三填充层上分别生长锡球，完成封装。本发明双工器晶圆级的封装方法制造的双工器的结构简单，空间隔离性能，降低空间的电磁串扰，便于提高双工器的隔离度。

本发明授权双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组在权利要求书中公布了：1.一种双工器晶圆级的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤： S1、提供压电衬底； S2、通过光刻工艺在所述压电衬底上制作相互间隔的用于接收信号的第一插指组件和用于发射信号的第二插指组件； S3、通过光刻工艺在所述压电衬底上制出相互间隔的第一围堰和第二围堰；所述第一围堰环绕所述第一插指组件且与所述第一插指组件间隔，所述第二围堰环绕所述第二插指组件且与所述第二插指组件间隔，所述第一围堰和所述第二围堰分别将所述第一插指组件和所述第二插指组件形成相互间隔的用于接收信号的接收模块区域和用于发射信号的发射模块区域； S4、通过光刻工艺形成同时盖设于所述第一围堰和所述第二围堰的盖板，并在所述盖板上通过光刻工艺形成第一缺口、第二缺口和第三缺口，所述第一缺口位于所述接收模块区域，所述第二缺口位于所述接收模块区域和所述发射模块区域之间并将所述接收模块区域和所述发射模块区域完全隔开，所述第三缺口位于所述发射模块区域； S5、通过电镀工艺在所述压电衬底对应所述第一缺口、所述第二缺口及所述第三缺口的位置分别电镀第一填充层、第二填充层及第三填充层，并使得所述第一填充层、所述第二填充层及所述第三填充层分别填满所述第一缺口、所述第二缺口及所述第三缺口，所述第二填充层完全隔开所述接收模块区域与所述发射模块区域； S6、在所述第一填充层和所述第三填充层上分别生长锡球，完成封装。

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