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龙图腾网获悉正泰新能科技有限公司申请的专利一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310203855.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池是由邹超;丁红辉;李燕平;陆振宇;刘古岩;薛峰;孔海洋;张剑峰设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SE电池制备方法及SE电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：对硅片依次进行至少两次扩散、至少两次推进、至少两次退火和扩散，得到具有目标扩散方阻的第一硅片；通过激光辐照在所述第一硅片的正面形成SE结构，得到具有目标方阻的第二硅片；对所述第二硅片进行镀膜，得到第三硅片；采用无网结网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到SE电池；所述无网结网版包括网纱和涂覆在所述网纱上的感光胶膜层；所述网纱为无网结网纱。本申请使用高目数窄线宽网版匹配高阻低表面浓度工艺，能够进一步提高印刷性能，从而提升电池转换效率。

本发明授权一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池在权利要求书中公布了：1.一种选择性发射极太阳能电池制备方法，其特征在于，包括： 对硅片依次进行： 第一步扩散：第一温度，恒温通入三氯氧磷和氧气； 第二步扩散：由所述第一温度升温至第二温度，并通入三氯氧磷和氧气； 第三步扩散：由所述第二温度升温至第三温度，并通入三氯氧磷和氧气； 第一步推进：第四温度，通入氧气；第四温度的范围为840℃至860℃，且包含两端的值； 第二步推进：第五温度；第五温度的范围为840℃至860℃，且包含两端的值； 第一步退火：由所述第五温度降温至第六温度，并通入氧气； 降温：由所述第六温度降温至第七温度； 第二步退火：由所述第七温度降温至第八温度，并通入氧气； 第四步扩散：第九温度，恒温通入三氯氧磷和氧气，得到具有目标扩散方阻的第一硅片； 通过激光辐照在所述第一硅片的正面形成SE结构，得到具有目标方阻的第二硅片； 对所述第二硅片进行镀膜，得到第三硅片； 采用无网结网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到所述选择性发射极太阳能电池；所述无网结网版包括网纱和涂覆在所述网纱上的感光胶膜层；所述网纱为无网结网纱。

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