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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种三维力检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116399499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310195428.5，技术领域涉及：G01L5/169；该发明授权一种三维力检测方法是由张承谦;戴煌哲;赵朋;胡昊;纪凯鹏;孙浩南;吕晨昕;唐道梵设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维力检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有三维力感知功能的分体式柔性磁触觉传感器及检测方法，该分体式柔性磁触觉传感器通过采用折叠充磁的方式对磁膜进行充磁来模拟理想向心充磁，并通过修正完成了折叠充磁的三维解耦，不仅增强了磁膜在霍尔传感器位置处产生的磁场强度与磁场梯度，使触觉传感器的磁膜与霍尔传感器之间可以保持较大的距离进而进行分体式感知，实现无损分体安装；同时也使触觉传感器相比于单向充磁等简单充磁方式具有更高的灵敏度。通过上述设置，本发明的触觉传感器可根据三维磁场强度，结合构建的三维力解耦模型，仅通过一个单元即可实现三维力的计算和感知，与人类皮肤的力感知维度相当，在仿生机器人、柔性电子等多个领域都有一定的应用潜力。

本发明授权一种三维力检测方法在权利要求书中公布了：1.一种三维力检测方法，其特征在于，利用具有三维力感知功能的分体式柔性磁触觉传感器获得三维方向的磁场强度，通过以下三维力解耦模型分别计算得到三维方向的力： 式中，S表示磁膜接触面积；H表示硅胶柔性层厚度；G表示硅胶柔性层的剪切模量；E表示硅胶柔性层的弹性模量；k＝2πλ，k表示正弦波数，λ等于磁膜边长；x0,y0,z0表示磁膜中心点的初始坐标；x1,y1,z1表示磁膜中心点位移后的坐标；a1、a2、a3分别为剪切模量和弹性模量的补偿系数；b1、b2、b3分别为标定误差补偿系数； Rx、Ry、Sz分别表示三维方向的解耦参数，计算公式如下： 式中，Bx、By、Bz分别表示坐标x,y,z处在三维方向上的磁通密度；k1、k2、c1、c2分别表示解耦补偿系数； 所述具有三维力感知功能的分体式柔性磁触觉传感器，包括： 安装于基体外侧的柔性接触层，所述柔性接触层包括依次设于所述基体外侧的硅胶柔性层和向心充磁的方形磁膜；所述磁膜的横截面尺寸与硅胶柔性层的横截尺寸相同，二者上下对齐安装； 三维霍尔传感器，所述霍尔传感器设置芯片主体的一侧安装于基体的内侧，所述芯片主体与所述磁膜平行且同中轴线设置。

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