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龙图腾网获悉西南交通大学;成都齐兴真空镀膜技术有限公司申请的专利一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116377398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310327588.0，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备是由欧阳鹏辉;常满;刘天才;柴亚强;陈佳;王用文;常鸿;韦联福设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备，其包括设备支架，安装于设备支架上的蒸镀装置，与蒸镀装置经插板阀连接的氧化装置，以及用于对蒸镀装置和氧化装置抽真空的真空系统。氧化装置包括氧化腔室，可转动安装于氧化腔室上的载物机构和厚度在线监测系统。氧化腔室上还安装有考夫曼离子源。本发明将蒸镀装置和氧化装置通过插板阀连接在一起，使设备兼顾电子束蒸发、在线氧化及在线刻蚀功能；能够实现样品镀膜、刻蚀和氧化连续化操作，制备出具有复杂结构和高质量的薄膜样品。

本发明授权一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备，其特征在于，包括：设备支架1，安装于设备支架1上的蒸镀装置2，与蒸镀装置2经插板阀4连接的氧化装置3，以及用于对蒸镀装置2和氧化装置3抽真空的真空系统5； 上述氧化装置3包括氧化腔室31，可转动安装于氧化腔室31上的载物机构32；所述氧化腔室31通过管道与真空系统连接；所述氧化腔室31设置有相对的第一安装接口311和第二安装接口312；所述第一安装接口311与插板阀4连接，第二安装接口用于安装膜厚仪探头33；所述载物机构32包括载物台321以及与载物台固定连接的转轴322；所述载物台321位于第一安装接口311和第二安装接口312之间；所述载物台321内部设有液体循环流道，所述转轴322中空，并设置有与载物台内部循环流道连通的内管323，内管将转轴空腔分为进液通道和出液通道；所述氧化腔室上还安装有考夫曼离子源34，所述考夫曼离子源34溅射范围覆盖载物台321；所述载物机构还包括套设于转轴外侧的磁流体腔室324；所述磁流体腔室通过法兰与氧化腔室上设置的载物台接口连接；所磁流体腔室内封装有磁流体；所述转轴上设置有分别与进液通道和出液通道连接的进液口3221和出液口3222，转轴末端进一步设置有转动手轮3223；所述载物机构32还设置有限位销325，限位销沿平行于转轴轴向的方向穿过转动手轮并穿入磁流体腔室324；所述限位销325与转动手轮3223和磁流体腔室324通过螺纹连接；所述氧化装置3还包括厚度在线监测系统； 所述真空系统5包括用于对蒸镀装置2抽真空的第一真空装置51和用于对氧化装置3抽真空的第二真空装置52。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西南交通大学;成都齐兴真空镀膜技术有限公司，其通讯地址为：610031 四川省成都市二环路北一段；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。