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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116406150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310338228.0，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈是由吴撼宇;魏浩;姚伟博;来定国;王嘉琛;杨森;楼成设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，用于解决现有的高压绝缘堆栈三相点电场屏蔽结构附近易于积聚气泡，导致高压绝缘堆栈的液体绝缘介质一侧沿面闪络或击穿的技术问题。本发明中在三相点电场屏蔽结构的第二环形半圆凸起上靠近绝缘环一侧且连接第一支撑电极的位置同轴开设有环形的排气槽；排气槽由下至上斜向开设，且其槽宽小于第二环形半圆凸起的截面半径；第一支撑电极上端面上对应第一环形半圆凸起外侧的位置周向开设有与排气槽连通的多个排气孔；排气槽和排气孔的设置可以在排气槽的设置不影响电场屏蔽效果的基础上，尽可能多的排出气泡。

本发明授权一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈在权利要求书中公布了：1.一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，包括层叠的M层高压真空绝缘堆栈，所述M层高压真空绝缘堆栈的内侧为真空介质，外侧为液体绝缘介质；每层所述高压真空绝缘堆栈包括同轴堆叠的多个绝缘环1，每两个绝缘环1之间同轴设置有一个金属均压环2，且金属均压环2的内侧和外侧分别延伸出绝缘环1的内侧壁和外侧壁；相邻两层高压真空绝缘堆栈之间以及第M层高压真空绝缘堆栈上端分别同轴密封设置有环形的第一支撑电极3，第一层高压真空绝缘堆栈下端同轴密封设置有环形的第二支撑电极4，且第一支撑电极3和第二支撑电极4的内侧壁均延伸出绝缘环1的内侧壁，并浸没在真空介质中，其外侧壁均延伸出绝缘环1的外侧壁，并浸没在液体绝缘介质中；所述第一支撑电极3位于液体绝缘介质中且与相应绝缘环1接触的位置同轴设置有环形的三相点电场屏蔽结构5；所述三相点电场屏蔽结构5包括设置在第一支撑电极3上端面的第一环形半圆凸起51，以及对称设置在第一支撑电极3下端面的第二环形半圆凸起52；M为大于等于2的偶数；其特征在于： 所述第二环形半圆凸起52上靠近绝缘环1一侧且连接第一支撑电极3的位置同轴开设有环形的排气槽6； 所述排气槽6由下至上斜向开设，且其槽宽小于第二环形半圆凸起52的截面半径； 所述第一支撑电极3上端面上对应第一环形半圆凸起51外侧的位置周向开设有与排气槽6连通的多个排气孔7。

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