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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种集成式倒装LED芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310442549.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种集成式倒装LED芯片的制备方法是由郭凯;王雪;张向鹏;李晋闽设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成式倒装LED芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制备技术领域，涉及一种集成式倒装LED芯片的制备方法，其包括以下步骤：1、提供外延片；2、形成n接触电极平台201；3、形成分割槽202；4、制备n接触电极301；5、制备p接触电极401；6、蒸镀DBR薄膜501；7、沉积第一绝缘钝化层502；8、暴露n接触电极301；9、制备n连接电极601；10、沉积第二绝缘钝化层701；11、暴露p接触电极401；12、制备p连接电极702；13、沉积第三绝缘钝化层801；14、暴露P连接电极702和n连接电极601；15、制备p焊盘电极802和n焊盘电极901。其能有效稳定产品性能及生产良率。

本发明授权一种集成式倒装LED芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1、提供外延片，所述外延片从下到上依次包括衬底101、n型层102、量子发光层103和p型层104； 2、通过光刻与刻蚀的方法对部分所述p型层104和量子发光层103进行刻蚀，以刻蚀到所述n型层102，形成n接触电极平台201； 3、通过光刻与刻蚀的方法对紧邻所述n接触电极平台201的部分所述p型层104、量子发光层103和n型层102进行刻蚀，以刻蚀到所述衬底101，形成分割槽202；所述分割槽202包括单元芯粒内分割槽和单元芯粒间分割槽，且所述单元芯粒内分割槽的宽度要小于所述单元芯粒间分割槽的宽度； 4、通过光刻与蒸镀的方法在所述n接触电极平台201上制备n接触电极301； 5、通过光刻与蒸镀的方法在所述p型层104的未刻蚀部分上制备p接触电极401； 6、整体蒸镀一层DBR薄膜501； 7、整体沉积一层第一绝缘钝化层502； 8、通过光刻与刻蚀的方法对部分所述第一绝缘钝化层502和DBR薄膜501进行刻蚀，以暴露所述n接触电极301； 9、通过光刻与蒸镀的方法制备与所述n接触电极301相连的n连接电极601； 10、整体沉积一层第二绝缘钝化层701； 11、通过光刻与刻蚀的方法对部分所述第二绝缘钝化层701、第一绝缘钝化层502和DBR薄膜501进行刻蚀，以暴露所述p接触电极401； 12、通过光刻与蒸镀的方法制备与所述p接触电极401相连的p连接电极702； 13、整体沉积一层第三绝缘钝化层801； 14、通过光刻与刻蚀的方法对部分所述第三绝缘钝化层801进行刻蚀，以暴露所述p连接电极702，并对部分所述第三绝缘钝化层801和第二绝缘钝化层701进行刻蚀，以暴露所述n连接电极601； 15、通过光刻与蒸镀的方法分别制备与所述p连接电极702相连的p焊盘电极802和与所述n连接电极601相连的n焊盘电极901。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西中科潞安紫外光电科技有限公司，其通讯地址为：047500 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。