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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种紧凑型高功率微波CTS阵列天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116683199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310627224.4，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权一种紧凑型高功率微波CTS阵列天线是由邹焕;吴立伟;李浩设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紧凑型高功率微波CTS阵列天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紧凑型高功率微波CTS阵列天线，包括左右两段CTS天线阵列以及左右两段CTS天线阵列之间下方的具有两层结构的同轴波导馈电系统。其中，CTS天线阵列是在平板波导上连续开贯通的横向缝隙即枝节实现辐射。通过电磁波从同轴波导馈入下层结构，然后沿径向向外传播至左右两侧的抛物反射面并从左右抛物反射面通道传播至上层结构，由径向传播的柱面电磁波转换为平面电磁波，再从左右馈电端口分别进入天线阵列平板左右两侧，以行波方式分别再向左右两侧传输，通过连续横向枝节向外辐射能量。本发明中同轴波导馈电系统利用抛物面反射式的双层同轴波导馈电结构，解决了CTS天线阵列系统馈电系统复杂庞大的问题，使得整体天线系统结构更加简单紧凑，同时具有扁平化、易加工的优点。

本发明授权一种紧凑型高功率微波CTS阵列天线在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型高功率微波CTS阵列天线，其特征在于，包括： 左右两段CTS天线阵列，CTS天线阵列由中空的天线阵列平板以及连续横向枝节构成，天线阵列平板中空部分长度为d0，宽度为d1，高度为h0，连续横向枝节位于天线阵列平板之上，由多个沿天线阵列平板长度方向依次平行对齐放置的尺寸大小相同的枝节构成，每个枝节的长度方向与天线阵列平板中空部分的宽度方向一致，并且每个枝节的长度等于天线阵列平板中空部分宽度并对齐，相邻枝节的间隔相同，均为一个波长，每个枝节包括第一级缝隙以及第二级缝隙，第一级缝隙为天线阵列平板中空部分上宽度为a0、长度为d1、台阶高度为b1的缝隙，第二级缝隙为在第一级缝隙之上，长度方向对齐并向宽度两侧延展形成的宽度为a1、长度为d1、台阶高度为b2且宽度a1大于宽度a0的缝隙；所述左右两段CTS天线阵列的连续横向枝节不是完全对称，其中，一段CTS天线阵列的连续横向枝节整体向中心即馈电端口移动半波长； 具有两层结构的同轴波导馈电系统，位于左右两段CTS天线阵列之间下方，其下层结构由同轴波导馈电，同轴波导内径为r0，外径为r1，下层结构高度为h1，同轴波导与下层结构连通，上层结构高度为h2，上层结构中间沿天线阵列平板宽度方向有一隔断，将上层结构分隔为左右两侧，隔断两侧各有一沿天线阵列平板宽度方向的向上开口即馈电端口，左侧馈电端口向左弯折后与左段CTS天线阵列下的天线阵列平板中空部分连通，右侧馈电端口向右弯折后与右段CTS天线阵列下的天线阵列平板中空部分连通； 上下两层结构的左右两边为焦点位于同轴波导圆心并且尺寸大小相同的抛物反射面，抛物反射面的顶点与焦点的连线与天线阵列平板长度方向平行，左右上下两层结构的抛物反射面贯通，并且均向内侧延展，分别形成连通上下两层结构的左右抛物反射面通道，上下两层结构间隔即左右抛物反射面通道高度为h3； 工作时，电磁波从同轴波导馈入，在同轴波导馈电系统的下层结构中，电磁波沿径向向外传播至左右两侧的抛物反射面，从左右抛物反射面通道传播至同轴波导馈电系统的上层结构，经过左右两侧的抛物反射面反射，由径向传播的柱面电磁波转换为平面电磁波，平面电磁波的宽度与上下层结构的馈电端口长度相等，由左右两侧的抛物反射面分别向内传播至上层结构的左右馈电端口，再从左右馈电端口分别进入左右两侧的天线阵列平板中空部分，以行波方式分别再向左右两侧传输，通过连续横向枝节向外辐射能量。

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