西北核技术研究所程军获国家专利权
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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种多孔TiC涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116926540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310881450.5，技术领域涉及：C23C26/00；该发明授权一种多孔TiC涂层的制备方法是由程军;刘文元;柯昌凤;霍艳坤;陈昌华;孙钧设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔TiC涂层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷涂层技术，具体涉及一种多孔TiC涂层的制备方法，解决现有技术中存在的烧结法、热喷涂法所制备涂层结合力差，且难以涂覆小型内腔结构，工艺复杂，以及微弧氧化法形成的氧化涂层厚度和孔隙率有限的不足之处。本发明的多孔TiC涂层的制备方法，金属基体与造孔剂在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛下发生原位反应，得到覆盖在金属基体表面的多孔涂层；其中，所述金属基体中包括Ti，所述造孔剂中包括碳化硅，产生的涂层与基体的结合力好，同时可以实现在基体的内腔表面进行涂层制备。
本发明授权一种多孔TiC涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多孔TiC涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.金属基体与造孔剂发生原位反应 S1.1.将金属基体和造孔剂的粉料加入反应容器中，造孔剂粉料将金属基体完全覆盖；所述造孔剂由碳化硅与二氧化硅组成； S1.2.将反应容器置于加热炉内，进行原位反应；所述原位反应在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛中进行，反应温度为900～1400℃，升温速率为5～10℃min，反应时间为0.5～20h；所述金属基体为纯钛或钛合金； S2.待步骤S1的原位反应结束后，加热炉内保持Ar气氛或Ar和O2的混合气氛状态降至室温，最终得到覆盖在金属基体表面的多孔TiC涂层。
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