浙江欣芯微机电制造有限公司李航获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江欣芯微机电制造有限公司申请的专利大厚度硅通孔结构的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117976617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311773439.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权大厚度硅通孔结构的加工方法是由李航;孙晨;赵聪设计研发完成，并于2023-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本大厚度硅通孔结构的加工方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种大厚度硅通孔结构的加工方法，包括：提供硅基底，在硅基底的第一支撑区形成多个间隔排列的第一支撑区凹槽；在第一支撑区凹槽生长氧化硅以及将第一支撑区内的硅材料氧化为氧化硅，从而形成第一支撑结构；在第一非支撑区形成第一深沟槽；去除第一支撑结构下的部分硅材料，使所述第一支撑结构悬空，形成第一通槽结构；在第一通槽结构的内壁形成氧化硅层；在第一通槽结构沉积多晶硅，多晶硅至少覆盖第一通槽结构的底面。本发明能够在更大厚度的硅片上实现硅通孔结构，并降低工艺难度，为芯片器件级封装提供技术支持。
本发明授权大厚度硅通孔结构的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种大厚度硅通孔结构的加工方法，其特征在于，包括： 提供硅基底，所述硅基底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述第一表面包括间隔设置的第一支撑区和第一非支撑区，在所述第一支撑区形成多个间隔排列的第一支撑区凹槽； 在所述第一支撑区凹槽生长氧化硅，以及将所述第一支撑区内的硅材料氧化为氧化硅，从而在所述第一支撑区形成第一支撑结构； 刻蚀所述第一非支撑区，在所述第一非支撑区形成第一深沟槽； 去除所述第一支撑结构下的部分硅材料，使所述第一支撑结构悬空，形成位于所述第一支撑结构下方的第一沟道，所述第一沟道以及所述第一深沟槽形成第一通槽结构； 在所述第一通槽结构的内壁形成氧化硅层，作为绝缘保护结构； 在所述第一通槽结构沉积多晶硅，所述多晶硅至少覆盖所述第一通槽结构的底面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江欣芯微机电制造有限公司，其通讯地址为：313200 浙江省湖州市德清县志远北路457号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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