湖北江城实验室高标获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利异质集成结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410188617.4，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权异质集成结构及其制备方法、半导体器件是由高标;谢冬设计研发完成，并于2024-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质集成结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种异质集成结构及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括：形成第一芯片，第一芯片包括第一半导体基材及位于第一半导体基材上的第一功能层和第一互连层，第一互连层包括第一介质层和位于第一介质层中的多个第一导电柱。形成第一晶圆，第一晶圆包括第二半导体基材及位于第二半导体基材上的第二功能层和第二互连层，第二互连层包括第二介质层和位于第二介质层中的多个第二导电柱。第一半导体基材与第二半导体基材不同。将第一芯片的第一互连层与第一晶圆的第二互连层键合，得到键合结构；第一芯片和第一晶圆通过第一导电柱和第二导电柱电连接。切割键合结构，形成异质集成结构。
本发明授权异质集成结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种异质集成结构的制备方法，其特征在于，包括： 形成第一芯片，所述第一芯片包括第一半导体基材及位于所述第一半导体基材上的第一功能层和第一互连层，所述第一互连层包括第一介质层和位于所述第一介质层中的多个第一导电柱； 形成第一晶圆，所述第一晶圆包括第二半导体基材及位于所述第二半导体基材上的第二功能层和第二互连层，所述第二互连层包括第二介质层和位于所述第二介质层中的多个第二导电柱；所述第一半导体基材与所述第二半导体基材不同；所述第一半导体基材的材料包括非硅材料；所述第二半导体基材的材料包括硅；所述第一芯片的尺寸与所述第一晶圆的尺寸不同； 将所述第一芯片的第一互连层与所述第一晶圆的第二互连层键合，得到键合结构；所述第一芯片和所述第一晶圆通过所述第一导电柱和所述第二导电柱电连接且通过所述第一介质层与所述第二介质层键合； 切割所述键合结构，形成异质集成结构。
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