宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司芮阳获国家专利权
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龙图腾网获悉宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410645015.7，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法是由芮阳;伊冉;王忠保;王黎光;蔡瑞;杨少林;马成;赵延祥;刘洁;刘彦鹏设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。
本发明授权改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法在权利要求书中公布了：1.一种改善终端产品电性均匀性的热场，包括石英坩埚、加热组件、断热材部，所述加热组件位于所述石英坩埚的底部、侧部，设置在石英坩埚侧部的加热组件位于所述石英坩埚与所述断热材部之间，所述断热材部位于所述石英坩埚的周向，其特征在于：还包括降温组件，所述降温组件包括降温热屏部、降温上部断热材，所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以使温度梯度增大，缩短晶棒在800℃-1100℃的停留时间，以降低微缺陷密度； 所述空心层的高度为所述降温上部断热材高度的14-12； 所述降温上部断热材的厚度为15-20mm。
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