内蒙古工业大学高艳芳获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古工业大学申请的专利一种1T-MoS2负载钌单原子点阵催化剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118727040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410723991.X，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种1T-MoS2负载钌单原子点阵催化剂及其制备方法是由高艳芳;李利军;王志伟;郭子涵;王东设计研发完成，并于2024-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种1T-MoS2负载钌单原子点阵催化剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种1T‑MoS2负载钌单原子点阵催化剂及其制备方法，所述1T‑MoS2负载的Ru单原子点阵催化剂包括：基底、包覆于所述基底上的金属1T‑MoS2层及负载于所述金属1T‑MoS2层表面的Ru单原子点阵，其中，其中，相对于100g1T‑MoS2负载的Ru单原子点阵催化剂，Mo原子的质量含量为6.5～8.5wt.％，Ru原子的质量含量为0.04～0.11wt.％。本发明反应条件温和、对设备要求低、简单低成本。本发明制备的1T‑MoS2负载的Ru单原子点阵催化剂、电极中的Ru的负载量小于0.11wt.％，在1.0MKOH中电催化裂解水的性能超过PtC催化剂，具有巨大的商业应用价值。
本发明授权一种1T-MoS2负载钌单原子点阵催化剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种1T-MoS2负载的Ru单原子点阵催化剂，其包括：基底、包覆于所述基底上的金属1T-MoS2层及负载于所述金属1T-MoS2层表面的Ru单原子点阵，其中，相对于100g1T-MoS2负载的Ru单原子点阵催化剂，Mo原子的质量含量为6.5~8.5wt.%，Ru原子的质量含量为0.04~0.11wt.%，所述基底为亲水性碳基体，所述亲水性碳基体为碳纤维布或碳纤维纸，构成所述碳纤维布和所述碳纤维纸的纤维直径小于2μm。
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