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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于读参考电压校准的3-D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410736522.1，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种基于读参考电压校准的3-D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置是由魏德宝;冯骅;岳杨涛;刘旺;乔立岩设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于读参考电压校准的3-D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置在说明书摘要公布了：一种基于读参考电压校准的3‑D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置，涉及固态存储领域。为解决现有技术中尚未公开一种在低温环境下有效提升闪存的可靠性和读取性能的技术方案的缺陷，本发明提供的技术方案为：闪存低温可靠性提升模型建立方法，所述方法包括：采集闪存在不同温度下的阈值电压偏移数据集，并预处理的步骤；根据预处理后的所述阈值电压偏移数据集的数据，得到不同温度与最优读参考电压偏移之间的初步关系模型的步骤；根据预设的所述闪存的影响因素，对所述初步关系模型进行修正，得到修正模型的步骤；根据所述修正模型和所述影响因素，建立综合补偿模型的步骤。适合应用于NANDFlash的读参考电压校准的工作中。

本发明授权一种基于读参考电压校准的3-D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于读参考电压校准的3-D闪存低温可靠性和读取性能提升方法，应用于低温环境，其特征在于，所述方法包括： 采集闪存样本的步骤； 将所述闪存样本在不同温度下编程，并记录所述闪存样本在不同温度下的阈值电压偏移数据集的步骤； 建立所述闪存样本在不同温度下，最优读参考电压偏移系数关系曲线的步骤； 通过建立的模型，对所述阈值电压偏移数据集和最优读参考电压偏移系数关系曲线进行处理，得到补偿数据的步骤； 所述建立的模型包括： 采集闪存在不同温度下的阈值电压偏移数据集，并预处理的步骤； 根据预处理后的所述阈值电压偏移数据集的数据，得到不同温度与最优读参考电压偏移之间的初步关系模型的步骤； 根据预设的所述闪存的影响因素，对所述初步关系模型进行修正，得到修正模型的步骤； 根据所述修正模型和所述影响因素，建立综合补偿模型的步骤； 其中，综合补偿模型考虑不同层位置、单元状态和PE周期对低温编程可靠性的影响，如下所示： RRVOL＝a0·Tprog+C1_lookupN+b0 其中，RRVOLRRVoffsetlevel是RRV在不同编程温度下的补偿偏移系数，Tprog是编程温度，C1是PE磨损补偿表，N为对应的PE次数，a0和b0是常数，根据测试数据通过最小二乘法计算得出； 根据所述补偿数据，补偿温度变化引起的闪存阈值电压分布畸变，提高低温环境下的读取性能。

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