台湾积体电路制造股份有限公司林国树获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168601U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421499641.1，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由林国树;洪展羽;陈斐筠设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：高电压晶体管可以包括多个源极漏极区、栅极结构和栅极氧化物层，使得栅极结构能够选择性地控制多个源极漏极区之间的通道区。栅极氧化物层可以朝向多个源极漏极区中的一个或多个横向向外延伸，使得栅极氧化物层的至少部分不在栅极结构下。从栅极结构下方横向向外延伸的栅极氧化物层使得栅极氧化物层能够用作形成高电压晶体管的多个源极漏极区的自对准结构。具体地，从栅极结构下横向向外延伸的栅极氧化物层使得栅极氧化物层能够在形成多个源极漏极区时无需使用额外的植入掩模的情况下，用于在与栅极结构较大的间隔处形成多个源极漏极区。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 第一掺杂区，包含第一掺杂剂类型，在所述半导体装置的衬底中； 第二掺杂区，包含第二掺杂剂类型，在所述衬底中并邻近所述第一掺杂区； 所述半导体装置中包括的高电压晶体管结构的第一源极漏极区，包括所述衬底中的所述第二掺杂剂类型； 所述高电压晶体管结构的第二源极漏极区，包括在所述衬底上且所述第二掺杂区中的所述第二掺杂剂类型； 所述高电压晶体管结构的栅极结构，在所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区之间；以及 所述高电压晶体管结构的栅极氧化物层，在所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区之间， 其中所述栅极氧化物层的第一部分在所述栅极结构下并且在所述栅极结构和所述衬底之间，以及 其中所述栅极氧化物层的第二部分横向向外延伸超过所述栅极结构并且在所述第二源极漏极区和所述栅极氧化物层的所述第一部分之间。
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