浙江爱旭太阳能科技有限公司王永谦获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司申请的专利一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118472055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410911352.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统是由王永谦;张生利设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统，太阳能电池钝化接触结构包括依次层叠设置于硅基底表面的第一钝化层、第一掺杂多晶硅层、第一阻挡层、第二掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层的掺杂极性与第二掺杂多晶硅层的掺杂极性相同；其中，第一钝化层的厚度大于第一阻挡层的厚度。本发明提供的太阳能电池钝化接触结构增设第一阻挡层及第二掺杂多晶硅层，利用第一钝化层和第一阻挡层共同阻挡杂质扩散进入硅基底内部，减少杂质内扩进入硅基底，可以明显提升太阳能电池的钝化效果，从而提升电池效率。
本发明授权一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括硅基底，所述硅基底包括向光面、及与所述向光面相对设置的背光面，所述背光面设置有P区和N区，所述P区设置有太阳能电池钝化接触结构，所述太阳能电池钝化接触结构包括依次层叠设置于硅基底表面的第一钝化层、第一掺杂多晶硅层、第一阻挡层、第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂极性与所述第二掺杂多晶硅层的掺杂极性相同；其中，所述第一钝化层的厚度大于所述第一阻挡层的厚度，所述第一钝化层的厚度与所述第一阻挡层的厚度的比值为1~10，且不等于1；所述第一钝化层的厚度为0.5~5纳米，所述第一阻挡层的厚度为0.2~4.5纳米； 所述背光面对应非设置有所述太阳能电池钝化接触结构的区域设置有第三钝化层、及设于所述第三钝化层背离所述硅基底一面的第六掺杂多晶硅层，所述第六掺杂多晶硅层与所述第一掺杂多晶硅层之间设置有隔离区，所述第六掺杂多晶硅层的掺杂极性与所述第一掺杂多晶硅层的掺杂极性相反，且所述第六掺杂多晶硅层的厚度大于所述第一掺杂多晶硅层的厚度。
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