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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于GaN器件的可变电阻及装备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411073802.5，技术领域涉及：H10D1/43；该发明授权一种基于GaN器件的可变电阻及装备是由魏进;王珮瑄;余晶晶设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaN器件的可变电阻及装备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于GaN器件的可变电阻及装备，涉及GaN器件领域。该可变电阻包括沟道层、势垒层、两个欧姆接触电极和至少一个电流限制电极，势垒层层叠在沟道层上，电流限制电极位于势垒层上；两个欧姆接触电极分别位于势垒层上有源区的两侧，至少存在一个欧姆接触电极与一个电流限制电极相短接。该可变电阻与受保护功率器件串联形成装备，在流经该装备的电流突然增大时，该可变电阻的饱和电压较小，可变电阻先进入饱和电流区，由于该可变电阻的饱和电流较小，使得装备中整体电流最终钳制在可变电阻的饱和电流。本申请能降低功率器件的饱和电流密度，提高短路能力。

本发明授权一种基于GaN器件的可变电阻及装备在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN器件的装备，其特征在于，包括：受保护功率器件和基于GaN器件的可变电阻； 基于GaN器件的可变电阻为耗尽型GaN器件；所述基于GaN器件的可变电阻包括：沟道层、势垒层、两个欧姆接触电极和至少一个电流限制电极； 势垒层层叠在沟道层上，电流限制电极位于势垒层上；两个欧姆接触电极分别位于势垒层上有源区的两侧； 至少存在一个欧姆接触电极与一个电流限制电极相短接； 当所述基于GaN器件的可变电阻中仅有一个欧姆接触电极和一个电流限制电极相短接时，所述基于GaN器件的可变电阻中未与电流限制电极相短接的欧姆接触电极与受保护功率器件串联；当未与电流限制电极相短接的欧姆接触电极上的电压小时，可变电阻工作在线性区，等效为一个小电阻；随着电压的增加，可变电阻进入电流饱和区，可变电阻的等效电阻值随电压的升高而增加，从而等效为一个电阻值可调的大电阻； 当所述基于GaN器件的可变电阻中一个欧姆接触电极和一个电流限制电极相短接，且另一个欧姆接触电极和另一个电流限制电极相短接时，所述基于GaN器件的可变电阻中的任意一个欧姆接触电极与受保护功率器件串联；当受保护功率器件发生短路，装备的电流突然增大时，可变电阻率先进入饱和状态，将此时流经装备的电流钳制在可变电阻的饱和电流中，此时可变电阻相当于一个电流源；而电路正常工作时，可变电阻工作在线性电流区，等效为一个小电阻。

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