台湾积体电路制造股份有限公司高魁佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168602U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421931349.2，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由高魁佑;林士尧;卓琼玉;林志翰;张铭庆设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本揭露提供半导体装置包括彼此垂直分离的多个半导体层、包括下部和上部的栅极结构，其中下部围绕多个半导体层中的各半导体层、以及沿栅极结构的上部的侧壁延伸的栅极间隔物。在一些例子中，在栅极间隔物与多个半导体层的相邻一层之间测量的间隙尺寸足够小，使得栅极结构不接触源极漏极结构。在一些例子中，栅极间隔物与鳍片结构的一个或多个半导体层的相邻一层由盖层分隔开。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 多个半导体层，彼此垂直分离； 一栅极结构，包括一下部与一上部，其中该下部围绕各该半导体层； 多个栅极间隔物，沿该栅极结构的该上部的侧壁延伸；以及 多个源极漏极结构，通过所述多个半导体层电耦合， 其中，在所述多个栅极间隔物与所述多个半导体层的相邻一层之间测量所得的一间隙尺寸足够小，使得该栅极结构不接触所述多个源极漏极结构。
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