英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司侯宗林获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司申请的专利用于热压键合的底座以及具有该底座的热压键合设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223167444U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421965164.3,技术领域涉及:H01L21/67;该实用新型用于热压键合的底座以及具有该底座的热压键合设备是由侯宗林;邹庆设计研发完成,并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于热压键合的底座以及具有该底座的热压键合设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种用于热压键合的底座以及具有该底座的热压键合设备。根据本实用新型的用于热压键合的底座以及具有该底座的热压键合设备,在第一真空通道区和第二真空通道区的每一个真空通道区中,第一列支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道与第二列支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道沿第二方向相互错开;并且在第三真空通道区和第四真空通道区的每一个真空通道区中,第一行支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道与第二行支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道沿第一方向相互错开。因此,在基板与底座之间存在空气泄漏时,空气束将被交错设置的支撑岛阻挡并且被减速,从而能够大大减轻空气束对基板焊盘侧部件的冲击作用。
本实用新型用于热压键合的底座以及具有该底座的热压键合设备在权利要求书中公布了:1.一种用于热压键合的底座,所述底座具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述底座包括: 凹陷部,所述凹陷部从所述第一表面开始并且具有第一深度; 真空通道区,所述真空通道区围绕所述凹陷部,并且所述真空通道区包括: 第一真空通道区和第二真空通道区,所述第一真空通道区从所述凹陷部开始沿第一方向延伸并且所述第二真空通道区从所述凹陷部开始沿与所述第一方向相反的方向延伸,所述第一真空通道区和所述第二真空通道区均包括沿与所述第一方向垂直的第二方向设置并且与所述第一表面平齐的第一列支撑岛和第二列支撑岛,所述第一列支撑岛和所述第二列支撑岛之间以及所述第一列支撑岛和所述第二列支撑岛中的每一列支撑岛的相邻两支撑岛之间设置有与所述凹陷部连通并且具有第二深度的真空通道;以及 第三真空通道区和第四真空通道区,所述第三真空通道区从所述凹陷部开始沿所述第二方向延伸并且所述第四真空通道区从所述凹陷部开始沿与所述第二方向相反的方向延伸,所述第三真空通道区和所述第四真空通道区均包括沿与所述第一方向平行的方向设置并且与所述第一表面平齐的第一行支撑岛和第二行支撑岛,所述第一行支撑岛和所述第二行支撑岛之间以及所述第一行支撑岛和所述第二行支撑岛中的每一行支撑岛的相邻两支撑岛之间设置有与所述凹陷部连通并且具有所述第二深度的真空通道;以及 至少两真空孔,所述至少两真空孔从所述凹陷部的底表面和或者从所述真空通道区的真空通道的底表面延伸至所述第二表面, 其特征在于,在所述第一真空通道区和所述第二真空通道区的每一个真空通道区中,所述第一列支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道与所述第二列支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道沿所述第二方向相互错开;并且在所述第三真空通道区和所述第四真空通道区的每一个真空通道区中,所述第一行支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道与所述第二行支撑岛中的相邻两支撑岛之间的真空通道沿所述第一方向相互错开。
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