台湾积体电路制造股份有限公司李纪宽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168598U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422098325.X，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型记忆体装置是由李纪宽;李婕;黄家恩;杨耀仁设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体装置在说明书摘要公布了：一种记忆体装置包括基板、多个金属化层、多个记忆体单元及位元线。多个金属化层设置在基板上方。各记忆体单元包括晶体管与电容器。位元线耦合至对应的一组所述多个记忆体单元。位元线至少包括第一导线结构和第二导线结构，第一导线结构和第二导线结构沿着第一横向方向延伸并且设置在多个金属化层中的第一金属化层中。第一导线结构和第二导线结构在物理上彼此间隔开，但是通过设置在多个金属化层中的一个或多个导线结构彼此电耦合。
本实用新型记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种记忆体装置，其特征在于，包括： 一基板； 多个金属化层，设置在该基板上方； 多个记忆体单元，各该记忆体单元包括一晶体管与一电容器；以及 一位元线，耦合至对应的一组所述多个记忆体单元； 其中该位元线至少包括一第一导线结构与一第二导线结构，该第一导线结构与该第二导线结构沿一第一横向方向延伸并且设置在所述多个金属化层中的一第一金属化层中； 其中该第一导线结构与该第二导线结构物理地彼此间隔开，但是通过设置在该金属化层或所述多个金属化层中的多个导线结构彼此电耦合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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