厦门市三安集成电路有限公司余珍珍获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利电容连接结构及集成芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168645U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422121093.5，技术领域涉及：H10N97/00；该实用新型电容连接结构及集成芯片是由余珍珍;郭子晗;洪思航;王鹏;魏鸿基设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容连接结构及集成芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种电容连接结构，其第一金属层与半导体基底直接接触，第一金属层包括第一极板，第二金属层包括分隔的第二极板和第一连接部，第二极板与第一极板之间通过第一介质层间隔形成MIM电容，第一连接部通过第一介质层的开口与第一极板电性连接；第一极板通过包含第一连接部的第一走线引出，第二极板通过第二走线引出，第一极板及第一走线作为电容的低电平端，第二极板及第二走线作为电容的高电平端。本实用新型还公开了包括上述电容连接结构的集成芯片。将与半导体基底直接接触的金属层作为电容的低电平端，使得与半导体基底相接触的电容金属界面具有较小的电应力，避免了水汽入侵导致的芯片边界电容失效，增强可靠性。
本实用新型电容连接结构及集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种电容连接结构，其特征在于：包括按序设于半导体基底上的第一金属层、第一介质层和第二金属层；所述第一金属层与所述半导体基底直接接触，所述第一金属层包括第一极板，所述第二金属层包括分隔的第二极板和第一连接部，所述第二极板与所述第一极板之间通过第一介质层间隔形成MIM电容，所述第一连接部通过所述第一介质层的开口与所述第一极板电性连接；所述第一极板通过第一走线引出，所述第二极板通过第二走线引出，其中第一走线包括所述第一连接部；所述第一极板及所述第一走线作为MIM电容的低电平端，所述第二极板及所述第二走线作为MIM电容的高电平端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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