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浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;滁州爱旭太阳能科技有限公司;山东爱旭太阳能科技有限公司张生利获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;滁州爱旭太阳能科技有限公司;山东爱旭太阳能科技有限公司申请的专利太阳能电池、光伏组件及光伏系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223168620U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422210446.9,技术领域涉及:H10F77/70;该实用新型太阳能电池、光伏组件及光伏系统是由张生利;李种玉;王永谦设计研发完成,并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

太阳能电池、光伏组件及光伏系统在说明书摘要公布了:本实用新型适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统,太阳能电池包括衬底以及多晶硅层,多晶硅层表面具有若干凹坑;衬底包括边缘区域以及中心区域;当衬底同一面的多晶硅层为同一掺杂类型时,位于中心区域的多晶硅层上的凹坑的密度小于等于位于边缘区域的多晶硅层上的凹坑的密度;当衬底同一面的多晶硅层为不同掺杂类型时,位于中心区域的多晶硅层上的凹坑的密度小于等于位于边缘区域的同一掺杂类型的多晶硅层上的凹坑的密度。通过控制中心区域的凹坑的密度小于边缘区域的凹坑的密度,减小凹坑的大小和深度,保证多晶硅层的表面平整度,保证钝化效果,避免凹坑穿透多晶硅层造成漏电的情况,保证太阳能电池的安全性。

本实用新型太阳能电池、光伏组件及光伏系统在权利要求书中公布了:1.一种太阳能电池,其特征在于,包括: 衬底,所述衬底具有相对的正面和背面;以及 设置在所述正面和或所述背面的多晶硅层,所述多晶硅层远离所述衬底的一侧表面具有若干凹坑; 所述衬底设置有所述多晶硅层的一侧面包括边缘区域以及位于所述边缘区域中间的中心区域; 所述多晶硅层包括: 当所述衬底同一面的所述多晶硅层为同一掺杂类型时,位于所述中心区域的所述多晶硅层上的凹坑的密度小于等于位于所述边缘区域的所述多晶硅层上的凹坑的密度;或者 当所述衬底同一面设置有不同掺杂类型的所述多晶硅层时,位于所述中心区域的所述多晶硅层上的凹坑的密度小于等于位于所述边缘区域的同一掺杂类型的所述多晶硅层上的凹坑的密度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;滁州爱旭太阳能科技有限公司;山东爱旭太阳能科技有限公司,其通讯地址为:322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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