江西兴泰科技股份有限公司张军获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兴泰科技股份有限公司申请的专利电子纸像素装置、电子纸和显示装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223167008U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422196084.2,技术领域涉及:G02F1/1685;该实用新型电子纸像素装置、电子纸和显示装置是由张军;胡自萍设计研发完成,并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子纸像素装置、电子纸和显示装置在说明书摘要公布了:电子纸像素装置、电子纸和显示装置中包括公共电极层、像素电容层、像素电极层、薄膜晶体管TFT;像素电容层与像素电极层之间包括隔离绝缘层;像素电容层与公共电极层之间包括隔离绝缘层;薄膜晶体管TFT的输出与像素电容层连接;像素电极层在像素电极层之上;薄膜晶体管TFT包括半导体沟道区;像素电极层包括像素区域A与薄膜晶体管区域B;像素区域A与像素电极层对应;像素区域A的形状与像素电容层相同;薄膜晶体管区域B与薄膜晶体管TFT对应;薄膜晶体管区域B包括与半导体沟道区对应的开槽。能使像素电极层的像素区域A尽可能大,减少白点发生的概率和强度。
本实用新型电子纸像素装置、电子纸和显示装置在权利要求书中公布了:1.一种电子纸像素装置,其特征在于,包括公共电极层、像素电容层、像素电极层、薄膜晶体管TFT; 像素电容层与像素电极层之间包括隔离绝缘层,像素电容层与像素电极层通过换层孔电连通,换层孔穿透所述隔离绝缘层; 像素电容层与公共电极层之间包括隔离绝缘层; 薄膜晶体管TFT的输出与像素电容层连接; 像素电极层在所述像素电容层之上; 像素电容层在所述公共电极层之上; 薄膜晶体管TFT包括半导体沟道区; 所述像素电极层包括像素区域A与薄膜晶体管区域B; 像素区域A与所述像素电容层对应;像素区域A的形状与像素电容层相同; 薄膜晶体管区域B与所述薄膜晶体管TFT对应;薄膜晶体管区域B包括与所述半导体沟道区对应的开槽。
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