英诺赛科(苏州)半导体有限公司张晓燕获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223167479U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422218234.5，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型半导体结构是由张晓燕;刘小明;陈邦星;林盛杰设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构。所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底一侧的第一电极垫、第二电极垫、第一电极、第二电极及多个导线。所述多个导线包括第一导线和第二导线；所述第一电极垫通过至少一个所述第一导线与所述第一电极相连，所述第二电极垫通过至少一个所述第二导线与所述第二电极相连；至少一个所述第一导线在所述衬底上的正投影与所述第二电极垫在所述衬底上的正投影无交叠，和或，至少一个所述第二导线在所述衬底上的正投影与所述第一电极垫在所述衬底上的正投影无交叠。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的第一电极垫、第二电极垫、第一电极和第二电极； 多个导线，包括第一导线和第二导线；所述第一电极垫通过至少一个所述第一导线与所述第一电极相连，所述第二电极垫通过至少一个所述第二导线与所述第二电极相连；至少一个所述第一导线在所述衬底上的正投影与所述第二电极垫在所述衬底上的正投影无交叠，和或，至少一个所述第二导线在所述衬底上的正投影与所述第一电极垫在所述衬底上的正投影无交叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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