东莞记忆存储科技有限公司黄智伦获国家专利权
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龙图腾网获悉东莞记忆存储科技有限公司申请的专利一种NAND走线分段阻抗结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223167100U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422262108.X，技术领域涉及：G06F13/16；该实用新型一种NAND走线分段阻抗结构是由黄智伦;纪兴杰设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NAND走线分段阻抗结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种NAND走线分段阻抗结构，包括：SOC芯片、NAND颗粒以及连接于SOC芯片与NAND颗粒之间的NAND总线，NAND颗粒包括有多个晶粒，NAND总线包括第一段走线和第二段走线，第一段走线分别连接于SOC芯片和第二段走线，第二段走线分别连接于第一段走线和NAND颗粒，第一段走线的阻抗大于第二段走线的阻抗。本实用新型通过将第一段走线阻抗设计为大于第二段走线，使得读方向的余量增大，写方向的余量减少，使读写性能更为均衡，降低因读写性能差异导致的系统瓶颈，提高用户体验和满意度，并且有助于在信号进入NAND总线前进行阻抗匹配，减少信号反射和衰减，从而提高信号完整性。
本实用新型一种NAND走线分段阻抗结构在权利要求书中公布了：1.一种NAND走线分段阻抗结构，其特征在于，包括：SOC芯片、NAND颗粒以及连接于SOC芯片与NAND颗粒之间的NAND总线，所述NAND颗粒包括有多个晶粒，所述NAND总线包括第一段走线和第二段走线，所述第一段走线分别连接于所述SOC芯片和所述第二段走线，所述第二段走线分别连接于所述第一段走线和所述NAND颗粒，所述第一段走线的阻抗大于所述第二段走线的阻抗。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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