热峰传感科技(湖州)有限公司王景涛获国家专利权
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龙图腾网获悉热峰传感科技(湖州)有限公司申请的专利半导体中子探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223166931U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422257380.9，技术领域涉及：G01T3/08；该实用新型半导体中子探测器是由王景涛;王勇;季安设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体中子探测器在说明书摘要公布了：本实用新型属于中子探测技术领域，提供了一种半导体中子探测器，包括：半导体单晶衬底；肖特基接触电极，蒸镀于半导体单晶衬底正表面，肖特基接触电极具有正电极引出触点；欧姆接触电极，溅射于半导体单晶衬底背表面，欧姆接触电极具有背电极引出触点；AlN衬底，具有缺口，缺口与正电极引出触点相对设置，以通过缺口引出正电极外引线；6LiF中子转换层，蒸镀于除缺口处的AlN衬底正表面或背表面；6LiF中子转换层远离AlN衬底的一面设有与肖特基接触电极形状和尺寸相同的凹槽，肖特基接触电极嵌入凹槽内，以使6LiF中子转换层与半导体单晶衬底贴合。本实用新型转换层可实现多个探测器的快速切换，利用率高且不易脱落，成本低。
本实用新型半导体中子探测器在权利要求书中公布了：1.一种半导体中子探测器，其特征在于，包括： 半导体单晶衬底； 肖特基接触电极，蒸镀于半导体单晶衬底正表面，肖特基接触电极具有正电极引出触点，以通过正电极引出触点引出正电极外引线； 欧姆接触电极，溅射于半导体单晶衬底背表面，欧姆接触电极具有背电极引出触点，以通过背电极引出触点引出背电极外引线； AlN衬底，具有缺口，缺口与正电极引出触点相对设置，以通过缺口引出正电极外引线； 6LiF中子转换层，蒸镀于除缺口处的AlN衬底正表面或背表面；6LiF中子转换层远离AlN衬底的一面设有与肖特基接触电极形状和尺寸相同的凹槽，肖特基接触电极嵌入凹槽内，以使6LiF中子转换层与半导体单晶衬底贴合。
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