苏州珂晶达电子有限公司沈忱获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州珂晶达电子有限公司申请的专利一种可集成的纵向高压器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168603U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422277988.8，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型一种可集成的纵向高压器件是由沈忱设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可集成的纵向高压器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种可集成的纵向高压器件，可集成的纵向高压器件包括：N型衬底；第一N型外延层，位于N型衬底的上方；第一P阱区，位于第一N型外延层；第二N型外延层，位于第一N型外延层的上方；第二P阱区，位于第二N型外延层，且位于第一P阱区的上方；栅极沟槽，位于未设置第二P阱区的第二N型外延层；栅极沟槽内设置有纵向栅氧化层和纵向多晶硅栅；纵向体区，也位于未设置第二P阱区的第二N型外延层；纵向体区设置有纵向源区、体重掺杂区和体轻掺杂区；平面器件，位于第二P阱区，且位于第二P阱区的上表面。采用上述技术方案，可以提高压器件的可靠性，实现大面积的功率输出管的集成。
本实用新型一种可集成的纵向高压器件在权利要求书中公布了：1.一种可集成的纵向高压器件，其特征在于，包括： N型衬底； 第一N型外延层，位于所述N型衬底的上方； 第一P阱区，位于所述第一N型外延层； 第二N型外延层，位于所述第一N型外延层的上方； 第二P阱区，位于所述第二N型外延层，且位于所述第一P阱区的上方； 栅极沟槽，位于未设置所述第二P阱区的所述第二N型外延层；所述栅极沟槽内设置有纵向栅氧化层和纵向多晶硅栅，所述纵向栅氧化层包裹所述纵向多晶硅栅； 纵向体区，也位于未设置所述第二P阱区的所述第二N型外延层；所述纵向体区与所述栅极沟槽沿水平方向相邻设置；其中，所述纵向体区设置有纵向源区、体重掺杂区和体轻掺杂区，所述体重掺杂区、所述纵向源区和所述栅极沟槽沿水平方向依次相邻设置，所述体轻掺杂区位于所述体重掺杂区和所述纵向源区的下方； 平面器件，位于所述第二P阱区，且位于所述第二P阱区的上表面；其中，所述平面器件包括LDMOS晶体管和或CMOS器件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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