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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种电磁转换装备绕组寄生电容的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119358213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411348019.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种电磁转换装备绕组寄生电容的计算方法是由朱姝姝;邹嘉强;刘倩倩;陈万庆;胡耀华设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电磁转换装备绕组寄生电容的计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电磁转换装备绕组寄生电容的计算方法，步骤如下：S1，建立考虑匝间距离的多层绕组寄生电容解析模型；S2，定义绕线无序度，得到绕组中每一匝线圈的可能分布位置，推导出与绕线无序度相关的匝间电容和层间电容的解析表达式；S3，根据多层绕组寄生电容解析模型，得到绕组总寄生电容的计算公式；S4，并根据每匝线圈的可能分布位置得出绕组线圈分布的概率模型，再计算出所有可能分布的绕组寄生电容值；S5，根据绕组寄生电容计算结果，绘制绕线无序度为D时绕组所有可能分布的寄生电容值分布概率直方图预测绕组总寄生电容值。本发明适用多种漆包线形状的电磁转换装备的寄生电容计算，计算结果更接近实际值。

本发明授权一种电磁转换装备绕组寄生电容的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁转换装备绕组寄生电容的计算方法，其特征在于，包括步骤如下： S1，建立考虑匝间距离的多层绕组寄生电容解析模型，将分布电容分为匝间电容和层间电容； S2，定义绕线无序度，得到绕组中每一匝线圈的可能分布位置，推导出与绕线无序度相关的匝间电容和层间电容的解析表达式； S3，根据多层绕组寄生电容解析模型，得到绕组总寄生电容的计算公式； S4，并根据每匝线圈的可能分布位置得出绕组线圈分布的概率模型；根据绕组线圈分布的概率模型，计算出所有可能分布的绕组寄生电容值； S5，根据绕组寄生电容计算结果，绘制绕线无序度为D时绕组所有可能分布的寄生电容值分布概率直方图，其中出现概率次数最高的值为绕组总寄生电容预测值； 步骤S2中，对于绕组导线的横截面为圆形时，第i层绕组的匝间电容Ctti表达式为： 式中，εr为导线绝缘层的相对介电常数，ε0为真空介电常量，dtt为相邻匝导体的匝间距离，Dc为导线内部铜芯直径，Do为导线外径；θ为积分角度，积分角度为θ1到θ2；lti为第i层绕组的周长； 对于绕组导线的横截面为矩形时，第i层绕组的匝间电容C′tti表达式为： 其中，d为导线内部铜芯宽度，D′为导线外层宽度，dtt为导线的匝间距离；h为导线绝缘层宽度； 所述绕线无序度是第k匝线圈的中心到第k+1匝线圈的中心之间的最大距离，记为D，第k匝线圈的中心到第k+1匝线圈的中心之间的距离为2r到D之间任意值，其中，r为圆线的半径或扁线线宽的一半；设误差是均匀分布的，则第k+1匝线圈在2r,D区间内所有位置出现的概率是相等的； 如果绕组的第一匝被放置在指定位置，那么在D内第二匝有m2个位置，第k匝有mk个位置；设下一匝在D内可能位置数量为mi，则n匝绕组所有分布情况为mi n。

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