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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958745.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器及其应用是由胡伟达;仲方;王振;徐腾飞;马航;胡佳鹏设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器及其应用在说明书摘要公布了：本发明的被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器及其应用，包括硅衬底、光敏区以及在光敏区两端设置的铬金金属电极，光敏区为在硅衬底上形成的二硫化钼黑磷异质结区，所述二硫化钼黑磷异质结并排且间隔排列的方式集成在基底上，形成一个1×8的线阵，其中，一端的铬金金属电极仅与二硫化钼接触，另一端的铬金金属电极仅与黑磷接触。本发明的被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器提供了一种高灵敏、高均匀的室温中波红外范德华异质结线列探测器。

本发明授权被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器及其应用在权利要求书中公布了：1.被动成像探测的高均匀室温中波红外线列探测器，其特征在于：包括硅衬底、光敏区以及在光敏区两端设置的铬金金属电极，光敏区为在硅衬底上形成的二硫化钼黑磷异质结区，所述二硫化钼黑磷异质结并排且间隔排列的方式集成在基底上，形成一个1×8的线阵，其中，一端的铬金金属电极仅与二硫化钼接触，另一端的铬金金属电极仅与黑磷接触，线阵通过以下步骤制备： S1，机械剥离第一单晶二维材料MoS2， S2，将第一单晶二维材料MoS2转移至PDMS； S3，将PDMS薄片粘贴的第一单晶二维材料MoS2转移至第一硅片，获得位于第一硅片上的第一单晶二维材料MoS2； S4，对第一单晶二维材料MoS2进行刻蚀； S5，将经过刻蚀的第一单晶二维材料MoS2转移至第二硅片； S6，复制步骤S1-步骤S2，制备粘贴窄带隙的单晶二维材料BP的PDMS薄片； S7，倾斜放置PDMS薄片，降低PDMS薄片，直至窄带隙的单晶二维材料BP的一侧与步骤S5中的第一单晶二维材料MoS2接触前停止，对第二硅片加热，倾斜放置的PDMS薄片受热膨胀带动窄带隙的单晶二维材料BP逐渐由一侧至另一侧覆盖并接触第一单晶二维材料MoS2，维持第二硅片温度恒定直至第一单晶二维材料MoS2与窄带隙的单晶二维材料BP完全贴合，形成无气泡、无残留且材料完整的大尺寸均匀异质结； S8，将第二硅片降至室温后PDMS薄片收缩，抬升PDMS薄片，得到位于第二硅片上的二硫化钼黑磷异质结； S9，在二硫化钼黑磷异质结的两端制备铬金金属电极； S10，二硫化钼黑磷异质结通过刻蚀工艺分成来自同一单晶且具有均一异质界面的多个像素单元，形成光电响应一致且高探测率的1×8的线列结构。

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