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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利用于处理晶片的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112335028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980043733.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于处理晶片的方法和装置是由李明;班森·奎恩·唐;钱德尔·拉达克里希南设计研发完成，并于2019-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于处理晶片的方法和装置在说明书摘要公布了：提供了一种用于提供等离子体处理的装置。提供等离子体处理室。具有入口的第一涡轮泵流体连接该等离子体处理室和排气部。气体源提供气体至该等离子体处理室。至少一根气体管线流体连接在该气体源与该等离子体处理室之间。至少一根排放管线与该至少一根气体管线流体连接。至少一个气体管线阀在该至少一根气体管线上并且定位在该至少一根排放管线与该至少一根气体管线连接的位置与该等离子体处理室之间。至少一个旁通阀位于该至少一根排放管线上。

本发明授权用于处理晶片的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种用于对衬底提供等离子体处理的装置，其包含： 具有等离子体区的等离子体处理室； 第一涡轮泵，其具有入口和排气部，所述入口与所述等离子体处理室流体连接； 气体源，其用于提供气体至所述等离子体处理室； 至少一根气体管线，其连接到所述气体源和所述等离子体处理室，其中所述至少一根气体管线在所述等离子体区的第一侧上连接到所述等离子体处理室，使得由所述至少一根气体管线提供的气体提供在所述衬底上方的所述等离子体区的所述第一侧上，从而使得来自所述至少一根气体管线的气体通过所述等离子体区； 至少一根排放管线，其连接到所述至少一根气体管线，其中所述至少一根排放管线在所述衬底下方连接到所述等离子体处理室，使得由所述至少一根排放管线提供的气体进入所述衬底下方的所述等离子体处理室，并流到所述第一涡轮泵的所述入口，而不通过所述等离子处理室的所述等离子体区，其中，在清洁所述等离子体处理室之后，所述至少一根气体管线中的氧被吸引通过所述至少一根排放管线和所述等离子体处理室进入所述第一涡轮泵，从而将来自所述至少一根气体管线中的残留的氧清扫； 至少一个气体管线阀，其在所述至少一根气体管线上并且定位在所述至少一根排放管线与所述至少一根气体管线连接的位置和所述等离子体处理室之间； 至少一个旁通阀，其位于所述至少一根排放管线上； 干式泵，其具有与所述第一涡轮泵的所述排气部流体连接的入口，其中所述至少一根排放管线与所述干式泵流体连接；以及 至少一个抽出阀，其连接在所述至少一根排放管线与所述干式泵之间。

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