PEP创新私人有限公司周辉星获国家专利权
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龙图腾网获悉PEP创新私人有限公司申请的专利半导体器件封装方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910917094.1，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体器件封装方法及半导体器件是由周辉星设计研发完成，并于2019-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件封装方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件封装方法，包括：提供至少一个晶片，所述晶片具有活性面和晶片背面；将至少一个所述晶片排布在面板上形成面板组件；在至少一个所述晶片的活性面一侧形成导电层和或介电层。该封装方法有助于提高封装的生产效率，降低封装价格；提高晶片的封装有效使用区域；提高封装产品的参数稳定性，提高良率。本公开还涉及一种半导体器件，包括：至少一个裸片，所述裸片具有裸片活性面和裸片背面；形成在至少一个所述裸片背面的塑封层；形成在至少一个所述裸片的活性面的复合层。该半导体器件能够避免产生翘曲。
本发明授权半导体器件封装方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件封装方法，其特征在于，包括： 提供至少一个晶片，所述晶片具有活性面和晶片背面； 将至少一个所述晶片排布在面板上形成面板组件； 在所述面板组件上的所述晶片的所述活性面上形成导电层； 在所述晶片的所述活性面和所述导电层上形成介电层； 其中，所述面板组件包括空白区，所述空白区包括电连接点接触区、密封区和金属模拟图案形成区中的一个或任意组合，所述电连接点接触区用于提供和电连接点接触的位置，所述密封区用于提供密封件密合的位置，所述金属模拟图案形成区用于形成金属模拟图案。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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