杭州晶驰机电科技有限公司郭森获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州晶驰机电科技有限公司申请的专利防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223150697U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422318476.1，技术领域涉及：C30B29/04；该实用新型防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置是由郭森;赵聪;万志炳设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置，它属于金刚石制备相关领域。本实用新型包括反应腔、外环冷却腔、内环匀气腔、工艺气体缓冲腔、工艺气体进入系统，外环冷却腔设置在反应腔的腔体外环顶部，外环冷却腔上方与工艺气体缓冲腔连接，内环匀气腔设置在反应腔的腔体中心顶部，内环匀气腔将反应腔与工艺气体缓冲腔隔离，工艺气体缓冲腔顶部的腔体上密封盖两侧对称设置工艺气体进入系统。本实用新型结构设计合理，安全可靠，采用下进微波形式时，气流自腔体上方进入后，避免了气流冲击金刚石衬底，提高金刚石均匀性，满足使用需求。
本实用新型防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置在权利要求书中公布了：1.一种防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置，包括反应腔（1）、外环冷却腔（2）、内环匀气腔（3）、工艺气体缓冲腔（4）和工艺气体进入系统（5），其特征在于：所述外环冷却腔（2）设置在反应腔（1）的腔体外环顶部，外环冷却腔（2）上方与工艺气体缓冲腔（4）连接，内环匀气腔（3）设置在反应腔（1）的腔体中心顶部，内环匀气腔（3）将反应腔（1）与工艺气体缓冲腔（4）隔离，工艺气体缓冲腔（4）顶部两侧对称设置工艺气体进入系统（5）；反应腔（1）包括工作台（11）、石英环（12）、金刚石衬底（13）和等离子体（14），该工作台（11）位于反应腔（1）的中心，金刚石衬底（13）放置在工作台（11）上方，等离子体（14）呈球状形成于金刚石衬底（13）上；微波自反应腔（1）的下方馈入，透过石英环（12）进入反应腔（1）。
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