成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司宋文龙获国家专利权
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龙图腾网获悉成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司申请的专利一种静电保护器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157527U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422392219.2，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种静电保护器件是由宋文龙;张鹏;杨珏林;张春生;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电保护器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电子科学与技术领域，具体为一种静电保护器件，包括N‑单晶片、阴极金属层和阳极金属层，N‑单晶片内依次设有第一P‑区、第三P+区和第二P‑区，第一P‑区内依次设有第一P+区、第一N+区和第二P+区，第二P‑区内依次设有第四P+区、第二N+区和第五P+区；N‑单晶片表面设有间断的硅介质层，第一P+区、第一N+区和第二P+区均连接阴极金属层，第四P+区、第二N+区和第五P+区均连接阳极金属层。本实用新型通过引入双边短路的对称SCR结构，使得两个方向的深回扫特性是对称的，决定泄放电流能力的SCR结构的有效面积只是与常规结构中的C1或C2相同，从而实现芯片面积可以减小20‑40％，并且在更小的芯片面积下，获得更低的击穿电压。
本实用新型一种静电保护器件在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件，其特征在于：包括N-单晶片、阴极金属层和阳极金属层，所述N-单晶片内依次设有第一P-区、第三P+区和第二P-区，所述第一P-区内依次设有第一P+区、第一N+区和第二P+区，所述第二P-区内依次设有第四P+区、第二N+区和第五P+区；所述N-单晶片表面设有间断的硅介质层，所述第一P+区、所述第一N+区和所述第二P+区均连接所述阴极金属层，所述第四P+区、所述第二N+区和所述第五P+区均连接所述阳极金属层。
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