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龙图腾网获悉电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司申请的专利一种基于层间DMI场的自旋阀型巨磁阻线性传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119224663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411468562.9，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种基于层间DMI场的自旋阀型巨磁阻线性传感器是由唐晓莉;独宓;王国彩;姜杰设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于层间DMI场的自旋阀型巨磁阻线性传感器在说明书摘要公布了：本发明属于磁传感技术领域，具体为一种基于层间DMI场的自旋阀型巨磁阻线性传感器。本发明提出了一种新的自旋阀型巨磁电阻传感单元结构，通过制备时将层间DMI场引入到自旋阀型巨磁阻传感单元中，使得铁磁层1通过层间DMI场的作用使铁磁层2的磁矩沿短轴方向；而铁磁层3磁矩不受此层间DMI场作用的影响，其磁矩仍然沿单元长轴取向；进而实现自旋阀型巨磁电阻线性传感单元在镀制完成后零场下其自由层和固定层磁矩呈相互垂直取向，满足线性传感的需求。本发明将自旋电子学领域中的DMI场与巨磁阻效应结合，在制备时即可一次完成，无需任何附加工序以及外加磁场偏置设置，降低了制作成本和难度，大大保证了制备简单化和传感单元的稳定性。

本发明授权一种基于层间DMI场的自旋阀型巨磁阻线性传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于层间DMI场的自旋阀型巨磁阻线性传感器，其特征在于：为从下至上依次层叠的基片、重金属层1、铁磁层1、重金属层2、铁磁层2、非磁性金属层、铁磁层3、反铁磁层、覆盖层； 所述铁磁层2作为自由层，非磁性金属层作为隔离层，铁磁层3作为固定层；其中，铁磁层2非磁性金属层铁磁层3反铁磁层构成自旋阀型巨磁电阻单元； 所述重金属层1用于辅助铁磁层1实现磁矩面外生长，铁磁层1、重金属层2、铁磁层2部分中，铁磁层1中磁矩沿面外，铁磁层2中磁矩沿面内，且通过制备时的工艺使铁磁层1与铁磁层2间产生层间DMI场；使得铁磁层1通过层间DMI场的作用使铁磁层2的磁矩在制备完成后的初始态沿短轴方向，而铁磁层3的磁矩不受此层间DMI场作用的影响，其磁矩在制备完成后的初始态仍然沿单元长轴取向，进而实现自旋阀型巨磁电阻单元在制备完成后，零场下其自由层和固定层磁矩呈相互垂直取向； 铁磁层1对铁磁层2的层间DMI场大小由决定，为铁磁层1的磁化矢量，为DMI场矢量，其方向由对称性定理决定； 所述铁磁层1与铁磁层2间产生层间DMI场的方式：通过重金属层2的厚度调节和倾斜角度溅射方法控制，根据三维Lévy-Fert模型，使铁磁层1与铁磁层2间产生层间DMI场； 所述倾斜角度溅射方法，的方向与沉积重金属层2的束流方向垂直；为使作用于铁磁层2上的HIL-DMI场沿短轴，在倾斜角度溅射重金属层2时，设置沉积重金属层2的束流方向沿自旋阀型巨磁电阻单元短轴。

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