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龙图腾网获悉成都航天博目电子科技有限公司申请的专利一种TSV转接板孔内绝缘层沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542226.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种TSV转接板孔内绝缘层沉积方法是由俞一冰;杨瑾;伏盛权;戴佳宏;刘浩设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TSV转接板孔内绝缘层沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TSV转接板孔内绝缘层沉积方法，利用ICPCVD设备，使用氮气和硅烷作为反应气体，在TSV转接板的TSV孔内沉积绝缘层，所述方法包括：对ICPCVD设备设置较低的腔室压力、DC功率与较高的射频偏压，反应气体在TSV孔内侧壁及底部反应并生成氮化硅，附着在硅衬底表面；设置所需次数的工艺循环，并在每一个工艺循环内将偏压功率阶梯式地从高偏压功率逐渐降低至低偏压功率沉积氮化硅，使得反应气体从TSV孔下部逐渐移至TSV孔的中上部，提高TSV孔内氮化硅绝缘层的覆盖率。本发明通过制备粘附性高、均匀性好、台阶覆盖率高的氮化硅绝缘层，解决现有TSV转接板制备过程中硅孔刻蚀后“扇贝”状突起带来的侧壁金属填充效果差、沉积工艺时间长、工艺成本高等问题。

本发明授权一种TSV转接板孔内绝缘层沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种TSV转接板孔内绝缘层沉积方法，其特征在于，利用ICPCVD设备，使用氮气和硅烷作为反应气体，在TSV转接板的TSV孔内沉积绝缘层，所述方法包括： 低速率打底式整体沉积步骤：对ICPCVD设备设置较低的腔室压力、DC功率与较高的射频偏压，反应气体在TSV孔内侧壁及底部反应并生成氮化硅，附着在硅衬底表面，其中，腔室压力设置为30Pa-300Pa，DC功率设置为300W-800W，偏压功率设置为800W-1200W，硅烷气体流量为30sccm-50sccm，氮气气体流量为20sccm-35sccm； 再分布式沉积步骤：设置所需次数的工艺循环，并在每一个工艺循环内将偏压功率阶梯式地从高偏压功率逐渐降低至低偏压功率沉积氮化硅，使得反应气体从TSV孔下部逐渐移至TSV孔的中上部，提高TSV孔内氮化硅绝缘层的覆盖率，其中，起始高偏压功率设为1500W-2000W，终止低偏压功率设为200W-500W，腔室压力设置为30Pa-300Pa，DC功率设置为500W-1000W，工艺循环的次数为30-80次。

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