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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119670637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411577085.X，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法是由李园;彭凯;马晓华;赵元富;郝跃设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：在第二预设材料的预设电介质层厚度小于预设值时，制备多个不同厚度的样品；上层材料层适用于TDTR测试的测试传感层时，通过TDTR测试和不同预设电介质层厚度的样品，确定目标热阻值；利用仿真软件、物理模型、实测电特性数据、已知热物性参数和目标热阻值，拟合构建初始的器件热电模型；对预设半导体器件进行预设功率密度下热稳态的目标测试，获得预设表面温升和预设温度分布；在同样功率密度下，将初始的器件热电模型的表面温升和目标温度分布，与目标测试的预设表面温升和预设温度分布进行拟合，可精准构建自洽的半导体器件热电耦合模型。

本发明授权一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法，其特征在于，所述基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法包括： 确定预设半导体器件的第一预设材料的已知热物性参数和第二预设材料的未知热物性参数，所述已知热物性参数为记录文件中记载的所述预设半导体器件中所述第一预设材料的热物性参数，所述未知热物性参数为所述记录文件中未记载的所述预设半导体器件中所述第二预设材料的热物性参数； 在所述第二预设材料的预设电介质层厚度小于预设值时，制备多个不同厚度的样品，各样品中的第二目标材料中目标电介质层的厚度各不相同，所述各样品包括与所述第二目标材料中目标电介质层相邻的上层材料层； 在所述上层材料层适用于TDTR测试的测试传感层时，通过所述TDTR测试和所述预设半导体器件中预设电介质层的厚度，确定所述未知热物性参数中的目标热阻值； 利用仿真软件、物理模型、实测电特性数据、所述已知热物性参数和所述目标热阻值，拟合构建初始的器件热电模型； 对预设半导体器件进行预设功率密度下热稳态的目标测试，得到预设表面温升和预设温度分布； 在同样功率密度下，将所述初始的器件热电模型的目标表面温升和目标温度分布，与所述预设表面温升和所述预设温度分布进行拟合，以构建半导体器件的热电耦合模型。

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