北京大学赵清获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种空穴传输层键合位点设计提升钙钛矿太阳能电池性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411869594.X，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种空穴传输层键合位点设计提升钙钛矿太阳能电池性能的方法是由赵清;骆超设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空穴传输层键合位点设计提升钙钛矿太阳能电池性能的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空穴传输层键合位点设计提升钙钛矿太阳能电池性能的方法。本发明通过在羟基化透明电极表面构筑大量的、稳定的羟基作为后续自组装单层的键合位点，提升自组装单层的键合密度和稳定性；还能在ITO表面构建大量未配位铟，使自组装单层分子还可以通过P=O键和ITO表面键合，创造了新的键合方式。基于本发明构建的自组装单层作为空穴传输层，能获得更高效率和稳定性的钙钛矿太阳能电池。本发明还能自发地在ITO表面形成纳米减反结构，能极大地增加光子透过从而提升钙钛矿太阳能电池的短路电流密度。本发明可以使商业ITO在仅仅经过本发明一步处理后即可直接使用，极大地节省了器件制备的时间成本和经济成本，对推动钙钛矿太阳能电池的工业发展具有重要意义。
本发明授权一种空穴传输层键合位点设计提升钙钛矿太阳能电池性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种透明电极氧化铟锡的羟基化刻蚀方法，包括如下步骤： 将ITO浸入羟基化刻蚀溶液中，在加热超声下进行羟基化处理； 所述羟基化刻蚀溶液为硫酸、过氧化氢与水的混合液； 所述羟基化刻蚀溶液中，所述硫酸、所述过氧化氢与所述水的体积比为4-7：2-3：1-2； 所述硫酸的质量浓度为80-98%，所述过氧化氢的质量浓度为20-40%； 所述热超声的条件如下： 温度为60-120℃，时间为10-35min。
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