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龙图腾网获悉浙江大维高新技术股份有限公司申请的专利一种碳化硅逆变器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119341390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411885627.X，技术领域涉及：H02M7/5387；该发明授权一种碳化硅逆变器及其控制方法是由祝建军;金联民;傅远峰;汤良靖;翁林钢;施海荣设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅逆变器及其控制方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅逆变器及其控制方法，主要包括三相工频交流电源输入连接点、集成缓冲电路的三相整流滤波器、两组碳化硅MOSFET模块及其驱动电路、可编程驱动互连控制模块、嵌入式控制器和6个独立输出连接点。其中碳化硅MOSFET模块分为两组，每组有6只碳化硅MOSFET及对应的驱动电路。可编程驱动互连控制模块可根据不同使能信号选择工作模式，实现单相或三相交流逆变，结合碳化硅MOSFET的工作温度因子计算优化控制碳化硅MOSFET高频率。嵌入式控制器控制碳化硅MOSFET模块单相或三相交流逆变，可对高压电源运行参数进行监控和反馈闭环控制。碳化硅逆变器实现多种模式选择控制和智能安全效率控制。

本发明授权一种碳化硅逆变器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅逆变器，其特征在于，包括三相工频交流电源输入连接点、集成缓冲电路的三相整流滤波器、两组碳化硅MOSFET模块及其驱动电路、可编程驱动互连控制模块、嵌入式控制器、6个独立输出连接点；可编程驱动互连控制模块的输出与所述两组碳化硅MOSFET模块的驱动电路连接；可编程驱动互连控制模块的输入与嵌入式控制器的输出连接；嵌入式控制器包括三种驱动控制模式，实现所述6个独立输出连接点不同的输出，分别对应不同的工作场景：控制模式一按单相SPWM模式调制，实现单相交流逆变；控制模式二按高频谐振交替导通模式调制，实现单相高频交流逆变；控制模式三按三相SPWM模式调制，实现三相交流逆变； 所述可编程驱动互连控制模块控制中，结合碳化硅MOSFET的工作温度因子计算碳化硅MOSFET高频率的驱动控制算式： 其中：fw为工作频率，k为校正系数，Vs为交流输出电压，fs为开关频率，Ls为谐波抑制电感，fL为电感谐波频率，fC为电容谐波频率，fsw为开关频率，Tmax是碳化硅MOSFET的最大允许工作温度，Ta是碳化硅MOSFET的实际工作温度。

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