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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种背接触电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920363.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种背接触电池和光伏组件是由葛熙;薛朝伟;于明哲;李云朋;黄敏设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险，提高背接触电池的抗烧毁能力。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和第一透明导电层。第一掺杂半导体层设置在第一区域上。掺杂区设置于半导体基底的第一区域和第三区域内。掺杂区中的第一掺杂元素的掺杂浓度，大于半导体基底的第二区域内的第一掺杂元素的掺杂浓度。第二掺杂半导体层设置在第二区域、且延伸覆盖至少部分掺杂区。在第三区域，第二掺杂半导体层与掺杂区电性连接。第一透明导电层覆盖在位于第二区域的第二掺杂半导体层上，且位于第三区域的第二掺杂半导体层上覆盖有由第二区域延伸过来的第一透明导电层。

本发明授权一种背接触电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一面和第二面；所述第一面包括交替间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域； 第一掺杂半导体层，设置在所述半导体基底的所述第一区域上；所述第一掺杂半导体层中的掺杂元素为第一掺杂元素； 掺杂区，设置于所述半导体基底的所述第一区域和所述第三区域内；沿所述半导体基底的厚度方向，所述掺杂区靠近所述半导体基底的所述第一面设置；所述掺杂区中的所述第一掺杂元素的掺杂浓度，大于所述半导体基底的所述第二区域内的所述第一掺杂元素的掺杂浓度；在所述第一区域，所述第一掺杂半导体层位于所述掺杂区背离所述半导体基底的一侧； 第二掺杂半导体层，设置在所述半导体基底的所述第二区域上、且延伸覆盖至少部分所述掺杂区上；所述第二掺杂半导体层与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；在所述第三区域，所述第二掺杂半导体层与所述掺杂区电性连接； 第一透明导电层，覆盖在位于所述第二区域的所述第二掺杂半导体层上，且位于所述第三区域的所述第二掺杂半导体层上覆盖有由所述第二区域延伸过来的所述第一透明导电层。

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