清华大学孙皓获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510188802.8，技术领域涉及：H01S3/08；该发明授权多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法是由孙皓;姚世鹏;吴金华;甯存政;李永卓;侯彰钰设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法，涉及激光技术领域。其中，多波长激光芯片包括：多个激光单元，每一个激光单元包括：微型光学谐振腔；耦合在微型光学谐振腔表面的稀土增益材料层；其中，微型光学谐振腔的谐振模式与稀土增益材料层的光学增益谱线中的一种预设波长匹配；其中，当泵浦光照射到任一激光单元的稀土增益材料层时，激光单元的稀土增益材料层发射出宽谱荧光，宽谱荧光中，与激光单元的微型光学谐振腔的谐振模式匹配的预设波长的荧光，在激光单元的微型光学谐振腔的谐振和选模作用下，被加强产生预设波长的激光。本发明可以提供一种高性能、高稳定性的1.5μm纳米多波长激光芯片。
本发明授权多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光单元，其特征在于，包括： 微型光学谐振腔；其中，所述微型光学谐振腔为微环形状或者微盘形状； 耦合在所述微型光学谐振腔表面的稀土增益材料层；其中，所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成；所述铒化合物纳米材料是使用铒化合物前驱体，通过化学气相沉积法在高温条件下合成； 其中，利用机械剥离方法从所述铒化合物纳米材料的生长基底分离所述铒化合物纳米材料，转移到所述微型光学谐振腔表面，或者，在所述铒化合物纳米材料的生长基底上刻蚀得到所述微型光学谐振腔； 其中，所述微型光学谐振腔的谐振模式与所述稀土增益材料层的光学增益谱线中的目标波长匹配； 其中，当泵浦光照射到所述稀土增益材料层时，所述稀土增益材料层发射出宽谱荧光，所述宽谱荧光中所述目标波长的荧光在所述微型光学谐振腔的谐振和选模作用下，被加强产生所述目标波长的激光。
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