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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119661930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510185768.9，技术领域涉及：C08L23/0869；该发明授权半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆是由李圣驿;乔健;涂必冬;陈赟;杨威;杨入云;王嘉尧;胡佳娜设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆在说明书摘要公布了：本申请涉及电缆技术领域，具体涉及半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆。以重量份数计，本申请半导电屏蔽料包括55份~65份的乙烯基树脂基体、1.5份~2份的交联剂以及30份~40份的填料；填料至少包括改性导电填料；改性导电填料包括第一含氧官能团和第二含氧官能团，第一含氧官能团包括羟基和醚基中的一种或多种，第二含氧官能团包括羰基、酯基和羧基中的一种或多种；改性导电填料满足如下关系式：C1n1≤C2n2，其中，C1为第一含氧官能团的总浓度，n1为第一含氧官能团中包括的官能团种类数，C2为第二含氧官能团的总浓度，n2为第二含氧官能团中包括的官能团种类数。

本发明授权半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆在权利要求书中公布了：1.一种半导电屏蔽料，其特征在于，以重量份数计，所述半导电屏蔽料的制备原料包括55份~65份的乙烯基树脂基体、1.5份~2份的交联剂以及30份~40份的填料； 其中，所述填料包括改性导电填料； 所述改性导电填料包括第一含氧官能团和第二含氧官能团，所述第一含氧官能团包括羟基和醚基中的一种或多种，所述第二含氧官能团包括羰基、酯基和羧基中的一种或多种；所述改性导电填料满足如下关系式：C11≤C22，其中，C1为改性导电填料中第一含氧官能团的总浓度，n1为改性导电填料中第一含氧官能团中包括的官能团种类数，C2为改性导电填料中第二含氧官能团的总浓度，n2为改性导电填料中第二含氧官能团中包括的官能团种类数； 所述改性导电填料通过氧等离子体处理导电填料制备得到；所述氧等离子体处理的工艺参数包括：气压≤20Pa，射频频率为13MHz~14MHz，功率为50W~200W，氧气通入速率为20mLmin~100mLmin；氧等离子体处理的时间为5min~60min，氧等离子体处理的温度为8℃~35℃。

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