晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种Fin FET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510278314.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种Fin FET器件及其制造方法是由陈涛;钱阳;钱坤设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Fin FET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种FinFET器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，FinFET器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的鳍形结构，鳍形结构在第一方向延伸；阱区，位于鳍形结构的下部；STI结构，位于半导体衬底上，且位于相邻的阱区之间；栅叠层结构，在与第一方向相交的第二方向延伸，栅叠层结构横跨鳍形结构的上部，分别与鳍形结构上部的侧壁和顶部接触；以及源区和漏区，位于鳍形结构上部，且位于栅叠层结构两侧；其中，STI结构中具有气隙，气隙在第二方向延伸，且栅叠层结构位于STI结构表面的部分与STI结构中的气隙相对。本申请通过在STI结构中设置气隙，减小FinFET器件的寄生电容。
本发明授权一种Fin FET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 位于半导体衬底上的鳍形结构，其中，所述鳍形结构在第一方向延伸； 阱区，位于所述鳍形结构的下部； STI结构，位于半导体衬底上，且位于相邻的阱区之间； 栅叠层结构，在与所述第一方向相交的第二方向延伸，栅叠层结构横跨鳍形结构的上部，分别与鳍形结构上部的侧壁和顶部接触；以及 源区和漏区，位于鳍形结构上部，且位于栅叠层结构两侧； 其中，所述STI结构中具有气隙，气隙在与所述第一方向相交的第二方向延伸，且栅叠层结构位于STI结构表面的部分与STI结构中的气隙相对；鳍形结构在第一方向延伸的长度为L，气隙在第一方向的宽度为W1，栅叠层结构在第一方向的宽度为W2，且W2≦W1≦L3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号