晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器的制造方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510320149.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器的制造方法及图像传感器是由陈维邦设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器的制造方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本申请公开了图像传感器的制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域，所述制造方法包括：在衬底的表面形成第一层叠结构；在第一层叠结构内形成深沟槽隔离结构，以将第一层叠结构隔离形成多个光电二极管区域；以及在光电二极管区域形成多个掺杂区；其中，掺杂元素从光电二极管区域的表面向其内部扩散形成多个掺杂区，多个掺杂区从所述光电二极管区域的表面向其内部延伸，且不同的掺杂区的延伸深度不同，形成不同层结构的掺杂区。
本发明授权图像传感器的制造方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括： 从衬底的第一表面向其内部进行离子注入，以在衬底中形成阻挡层； 在所述阻挡层的表面形成第一层叠结构，所述阻挡层的掺杂类型与第一层叠结构的掺杂类型相反； 在第一层叠结构内形成深沟槽隔离结构，以将第一层叠结构隔离形成多个光电二极管区域；以及 在光电二极管区域形成多个掺杂区； 其中，掺杂元素从光电二极管区域的表面向其内部扩散形成多个掺杂区，多个掺杂区从所述光电二极管区域的表面向其内部延伸，且不同的掺杂区的延伸深度不同，形成不同层结构的掺杂区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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