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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510345033.8，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器是由洪思慧;冯恩惠;吴赞设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器，属于芯片冷却散热技术领域。所述冷却散热器包括冷却液腔体外壳、射流歧管层、射流流道板和多孔介质层；所述冷却液腔体外壳中形成液体分布空腔；所述射流歧管层中形成射流腔，射流腔上均匀分布射流孔；所述射流流道板均安装在射流腔内，其射流流道均竖直设置，每个射流流道一端连接对应的射流孔；射流腔下层空间内各射流流道板之间的间隙填充所述多孔介质层。本发明利用小孔径多孔介质层对气泡动力学的影响，提高了散热过程的临界热流密度，单位面积散热量有所提高，延长芯片的工作寿命，提高芯片工作稳定性，对保证芯片在高热流密度、高集成度的工作条件下稳定工作具有重要作用。

本发明授权一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器在权利要求书中公布了：1.一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器，其特征在于，包括射流歧管层，射流歧管层中心位置挖槽形成射流腔，射流腔底有均匀分布的射流孔；射流腔内安装有多个射流流道板，每个射流流道板加工有若干射流流道，射流流道与射流孔一一对应，冷却液从射流孔进入射流流道后直接向目标芯片喷射冷却液；射流腔内各射流流道板之间的间隙中填充有多孔介质层，且仅填充射流腔靠近外侧的一半，多孔介质层与目标芯片直接接触； 所述多孔介质层用于吸收冷却液，使冷却液均匀布满目标芯片表面，也用于限制气泡的成核生长，避免目标芯片表面冷却液分布不均匀；所述多孔介质层的孔径在40-60微米之间，具有蜂窝状孔隙，采用树枝状的多孔介质烧结粉末压制后烧结制得； 所述两相射流冷却散热器还包括冷却液腔体外壳，所述冷却液腔体外壳中心位置挖槽形成液体分布空腔，所述冷却液腔体外壳设有冷却液入口，冷却液入口连通外部与液体分布空腔，冷却液从冷却液入口进入液体分布空腔后通过射流孔进入射流流道；所述射流歧管层还设有与射流腔内未受多孔介质层填充空间连通的气相出口和与多孔介质层连通的液相出口。

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