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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种硅光芯片光耦合测试实现方法及装置、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119880370B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510346707.6，技术领域涉及：G01M11/02；该发明授权一种硅光芯片光耦合测试实现方法及装置、存储介质是由李亮;徐耀鸿设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅光芯片光耦合测试实现方法及装置、存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅光芯片光耦合测试实现方法，涉及硅光芯片测试技术领域。本发明的硅光芯片光耦合测试实现方法，能够在入射波导装置与出射波导装置分别和目标硅光芯片实现粗匹配之后，周期性调整入射波导装置中的入射激光波长，获取入射激光波长周期性变化时出射波导装置中的出射激光功率变化信息，该出射激光功率变化信息能判断是否耦合成功，也可以用于分析得到第一位置调整方案，从而使得无需再通过不断地试错就能找到正确的调整方向，通过不断地反馈微调最终实现入射波导装置与硅光芯片之间的光耦合。本发明具有更快的耦合速度，减少了硅光芯片光耦合测试的用时。

本发明授权一种硅光芯片光耦合测试实现方法及装置、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片光耦合测试实现方法，其特征在于，所述方法包括： 第一调节装置将入射波导装置与目标硅光芯片上的光线入口进行粗匹配；第二调节装置将出射波导装置与目标硅光芯片上的光线出口进行粗匹配； 调整判断步骤：周期性调整入射波导装置中的入射激光波长，获取所述入射激光波长周期性变化时所述出射波导装置中的出射激光功率变化信息，并判断所述出射激光功率变化信息是否表示所述入射波导装置与所述光线入口耦合； 若判断出所述出射激光功率变化信息表示所述入射波导装置与所述光线入口未耦合，则根据所述出射激光功率变化信息，确定所述第一调节装置的第一位置调整方案；所述第一调节装置根据所述第一位置调整方案调整所述入射波导装置的位置，并重新触发执行所述调整判断步骤； 若判断出所述出射激光功率变化信息表示所述入射波导装置与所述光线入口耦合，则确定当前状态下所述入射波导装置的位置为入射耦合位置； 其中，所述根据所述出射激光功率变化信息，确定所述第一调节装置的第一位置调整方案，包括： 输入所述出射激光功率变化信息至预先训练好的波长-位置分析模型中，得到所述波长-位置分析模型输出的位置偏差信息，根据所述位置偏差信息得到第一位置调整方案。

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