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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利互连结构的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510354467.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权互连结构的制造方法及半导体器件是由祝君龙设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本互连结构的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种互连结构的制造方法及半导体器件，方法包括：在第一氧化层上依次形成刻蚀停止层和第二氧化层，所述第一氧化层中包括第一连接结构；形成贯穿所述第二氧化层和所述刻蚀停止层的第一接触孔；检测所述第一接触孔的底部与对应的所述第一连接结构的顶部之间的误差值；对所述第一接触孔的底部进行横向刻蚀，使得对应的第一连接结构的表面经由第二接触孔的底部暴露；在所述第二接触孔中填充导电材料以形成第二连接结构。本申请提供的互连结构的制造方法及半导体器件，旨在通过增加第二连接结构的底面的横向尺寸，以使的原本不能连通的第二连接结构与第一连接结构之间实现连通，提高半导体器件的良率。

本发明授权互连结构的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种互连结构的制造方法，包括： 在第一氧化层上依次形成刻蚀停止层和第二氧化层，所述第一氧化层中包括第一连接结构； 形成贯穿所述第二氧化层和所述刻蚀停止层的第一接触孔； 检测所述第一接触孔的底部与对应的所述第一连接结构的顶部之间的误差值； 对所述第一接触孔的底部进行横向刻蚀，使得对应的第一连接结构的表面经由第二接触孔的底部暴露，所述第一接触孔的底部横向刻蚀后形成所述第二接触孔； 在所述第二接触孔中填充导电材料以形成第二连接结构， 其中，所述第一接触孔的底部横向刻蚀的尺寸不小于所述误差值；对所述第一接触孔的底部进行横向刻蚀的步骤包括： 采用刻蚀工艺对所述第一接触孔的底部进行横向扩大形成所述第二接触孔； 检测所述第二接触孔的底部是否暴露所述第一连接结构的上表面； 若所述第二接触孔的底部没有暴露所述第一连接结构的上表面，则重复前述横向扩大和检测的步骤； 若所述第二接触孔的底部暴露所述第一连接结构的上表面，则完成对所述第一接触孔底部的横向扩大。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。