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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429170.X，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构是由董永洋;郑向光;杨昆;刘新辉;路亚娟设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构，属于半导体制备技术领域，包括坩埚本体、籽晶片、短石墨环以及约束件。坩埚本体具有容置腔，容置腔的底部能够存放碳化硅原料。籽晶片水平设置在容置腔顶端。短石墨环具有位于籽晶片下方且与籽晶片接触的环形圈部，环形圈部能够与籽晶片围合形成敞口朝下的初期生长腔。约束件设置在容置腔中，具有环绕环形圈部设置的约束石墨筒腔，约束石墨筒腔与环形圈部之间形成环形间隙。本发明提供的低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构可在降温过程中有效的解决约束件束缚单晶的问题，降低单晶内应力，同时抑制基平面位错，实现低基平面位错单晶的生长。

本发明授权低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构在权利要求书中公布了：1.低基平面位错碳化硅单晶制备用坩埚结构，其特征在于，包括： 坩埚本体，具有容置腔，所述容置腔的底部用于存放碳化硅原料；所述坩埚本体包括锅身以及锅盖；所述锅身具有顶端为敞口设置的敞口腔；所述锅盖用于扣设在所述锅身顶端后，与所述敞口腔围合形成所述容置腔；所述锅盖设有与所述敞口腔对应的凹槽；环绕所述凹槽的外围形成环形侧壁；所述锅身的顶端外缘设有供所述环形侧壁适配插接的环形开槽； 籽晶片，水平设置在所述容置腔顶端； 短石墨环，具有位于所述籽晶片下方且与所述籽晶片接触的环形圈部，所述环形圈部用于与所述籽晶片围合形成敞口朝下的初期生长腔；所述短石墨环包括搭接圆板以及石墨圈；所述搭接圆板搭设在所述锅身顶端形成的环形台面上，具有中心孔；所述石墨圈固设在所述中心孔中，顶端与所述籽晶片抵接，底端伸出至所述搭接圆板下方；所述石墨圈内孔的顶端设有供所述籽晶片嵌装的环形槽； 约束件，设置在所述容置腔中，具有环绕所述环形圈部设置的约束石墨筒腔，所述约束石墨筒腔与所述环形圈部之间形成环形间隙； 滑柱，沿着竖直方向设置，且与所述锅盖上的滑孔滑动连接，所述滑柱的长度大于石墨圈在竖直方向的长度，所述滑柱的两端均设有圆形限位板；位于所述凹槽内的所述圆形限位板供所述籽晶片固定连接；在所述凹槽的底面上设有对应所述圆形限位板容置的圆形嵌装槽； 其中，引导生长时，随着所述石墨圈逐渐膨胀至内孔的孔径大于所述籽晶片的外径后，所述籽晶片与所述滑柱的组合体通过自身的重力作用下行至所述石墨圈的下方。

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