全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119939964B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510442624.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：确定网格化的半导体器件的待离子注入的表面网格；将表面网格沿与离子入射方向相反的方向投影到表面网格中的最高点以上的一个投影平面，以在投影平面内形成投影表面结构；在投影表面结构内生成多个准入射点；以及沿离子入射方向将多个准入射点分别映射到表面网格以形成位于表面网格处的多个入射点。本公开的技术方案能够以简单的方式获得正确的入射点，显著提高了计算效率。
本发明授权用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于离子注入仿真的方法，包括： 确定网格化的半导体器件的待离子注入的表面网格； 将所述表面网格沿离子入射方向的反方向投影到所述表面网格中的最高点以上的一个投影平面，以在所述投影平面内形成投影表面结构，其中所述半导体器件的暴露表面朝向上方，以从上方进行离子注入； 在所述投影表面结构内生成多个准入射点；以及 沿所述离子入射方向将多个所述准入射点分别映射到所述表面网格以形成位于所述表面网格处的多个入射点。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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