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深圳市埃芯半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利一种光栅仿真方法、装置、电子设备及可读存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119989734B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510451003.5,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种光栅仿真方法、装置、电子设备及可读存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种光栅仿真方法、装置、电子设备及可读存储介质在说明书摘要公布了:本申请提供了一种光栅仿真方法、装置、电子设备及可读存储介质。所述方法包括:按照光栅结构的层数,对光栅结构的仿真任务进行划分,获得至少两个子仿真任务,并行计算各子仿真任务过程中,针对各子仿真任务,计算当前光栅层的矩阵;将当前光栅层的矩阵与历史中间结构矩阵进行聚合,获得新中间结构矩阵;在按照层顺序将下一光栅层作为当前光栅层后,返回执行步骤:计算当前光栅层的矩阵;当子仿真任务完成后,获得子结构矩阵;在获得全部子结构矩阵后,将各子结构矩阵进行聚合,获得总结构矩阵。本申请实现计算效率与资源利用的平衡,优化集群的计算能力和内存资料分配。

本发明授权一种光栅仿真方法、装置、电子设备及可读存储介质在权利要求书中公布了:1.一种光栅仿真方法,其特征在于,包括: 获取光栅结构的仿真任务; 按照所述光栅结构的层数,对所述光栅结构的仿真任务进行划分,获得至少两个子仿真任务,所述子仿真任务包括至少两个光栅层的仿真任务; 并行计算各所述子仿真任务过程中,针对各所述子仿真任务,计算当前光栅层的矩阵; 将所述当前光栅层的矩阵与历史中间结构矩阵进行聚合,获得新中间结构矩阵,所述历史中间结构矩阵为历史光栅层的矩阵聚合的结果,所述历史光栅层包括所述当前光栅层之前的光栅层; 在按照层顺序将下一光栅层作为所述当前光栅层后,返回执行步骤:计算当前光栅层的矩阵; 当所述子仿真任务完成后,获得子结构矩阵,所述子结构矩阵为稀疏矩阵或密集矩阵; 在获得全部所述子结构矩阵后,将各所述子结构矩阵按照层逆序进行聚合,获得总结构矩阵。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市埃芯半导体科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号101;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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