中微半导体设备(上海)股份有限公司尹志尧获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利反应腔、高深宽比结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510550377.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权反应腔、高深宽比结构及其形成方法是由尹志尧;徐伟娜;张一川;张凯;丛海;刘志强设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本反应腔、高深宽比结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种反应腔、高深宽比结构及其形成方法，其中，反应腔包括：下电极，设于所述反应腔内，所述下电极用于支撑基片；至少一个高频射频源，施加到所述下电极，以形成并维持反应腔内的等离子体；至少一个低频射频源，施加到所述下电极；在刻蚀所述基片的过程中，所述低频射频源的射频频率小于等于300kHz；进气装置，用于向所述反应腔内输送刻蚀气体和碳氟气体，所述刻蚀气体包括卤化氢气体和能够产生卤化氢的气体；所述碳氟气体中的碳原子数小于等于3个，所述刻蚀气体与碳氟气体的流量比大于9:1；所述基片的温度小于30°C；利用所述反应腔对所述基片进行刻蚀处理，所述高深宽比的深宽比大于70:1。利用所述反应腔形成的高深宽比结构的形貌良好。
本发明授权反应腔、高深宽比结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于刻蚀高深宽比结构的反应腔，所述高深宽比结构为自基片表面向下凹陷的凹陷结构，其特征在于，包括： 下电极，设于所述反应腔内，所述下电极用于支撑基片； 至少一个高频射频源，施加到所述下电极，以形成并维持反应腔内的等离子体； 至少一个低频射频源，施加到所述下电极； 在刻蚀所述基片的过程中，所述低频射频源的射频频率小于等于300kHz； 进气装置，用于向所述反应腔内输送刻蚀气体和碳氟气体，所述刻蚀气体包括卤化氢气体和能够产生卤化氢的气体； 所述碳氟气体中的碳原子数小于等于3个，所述刻蚀气体与碳氟气体的流量比大于9:1； 利用所述反应腔对所述基片进行刻蚀处理，在所述基片内形成所述凹陷结构，刻蚀处理中，所述基片的温度小于30°C；刻蚀结束后，所述凹陷结构的深宽比大于70:1。
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