浙江晶科能源有限公司潘固文获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池的制备方法和太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510556457.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的制备方法和太阳能电池是由潘固文;姚胜雷;曾宪欢;周治军;何星;李超设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的制备方法和太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，包括：提供基底，其中，基底包括衬底和位于衬底一侧的掺杂层，基底具有第一区域和第二区域；对第一区域进行离子注入处理，得到第一氧化区，其中，离子注入处理的离子源至少包括氧源；对第一氧化区进行预定处理，得到第二氧化区和掺杂区，其中，预定处理至少包括热处理，第二氧化区的深度大于第一氧化区的深度，掺杂区位于第二氧化区靠近基底的一侧；去除第二氧化区，形成凹槽，并且在凹槽内形成电极。该太阳能电池的制备方法可以提升太阳能电池的效率。
本发明授权太阳能电池的制备方法和太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，其中，所述基底包括衬底和位于所述衬底一侧的掺杂层，所述基底具有第一区域和第二区域； 对所述第一区域进行离子注入处理，得到第一氧化区，其中，所述离子注入处理的离子源至少包括氧源； 对所述第一氧化区进行预定处理，得到第二氧化区和掺杂区，其中，所述预定处理至少包括热处理，所述第二氧化区的深度大于所述第一氧化区的深度，所述掺杂区位于所述第二氧化区靠近所述基底的一侧； 去除所述第二氧化区，形成凹槽，并且在所述凹槽内形成电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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